[发明专利]标签和数据共同存储在物理行中的DRAM高速缓存有效

专利信息
申请号: 201280059143.9 申请日: 2012-11-21
公开(公告)号: CN103959260B 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 加布里埃尔·H·洛;马克·D·希尔 申请(专利权)人: 超威半导体公司
主分类号: G06F12/0864 分类号: G06F12/0864;G06F12/0893;G06F12/123
代理公司: 上海胜康律师事务所31263 代理人: 李献忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于在计算系统的大型基于行的存储器中进行有效高速缓存数据存取的系统和方法。计算系统包括处理单元和集成三维(3D)动态随机存取存储器(DRAM)。所述处理单元将3DDRAM用作高速缓存。所述3D DRAM的存储器阵列组中的多行中的每一行至少存储多个高速缓存标签和由所述多个高速缓存标签指示的多条相应高速缓存线。响应于从所述处理单元接收存储器请求,所述3D DRAM根据所述接收的存储器请求在由所述接收的存储器请求内的高速缓存标签指示的给定高速缓存线上执行存储器存取。可以使用单个复杂DRAM事务而不是使用多个DRAM事务来降低延迟和功耗。
搜索关键词: 标签 数据 共同 存储 物理 中的 dram 高速缓存
【主权项】:
一种动态随机存取存储器(DRAM),其包括:多个行,其中每一行被配置来至少存储(i)多个高速缓存标签和(ii)由所述多个高速缓存标签指示的多个高速缓存线;和控制电路,其被配置来:接收存储器请求;和根据所述接收的存储器请求在由所述接收的存储器请求内的第一高速缓存标签指示的给定高速缓存线上执行存储器存取,其中执行所述存储器存取包括:执行所述多个行的各自行的单个读取,其中所述各自行存储多个高速缓存标签和多个高速缓存线;以及在将所述第一高速缓存标签与存储在所述各自行中的所述多个高速缓存标签比较之前,将所述多个高速缓存标签和所述多个高速缓存线从所述各自行复制到行缓冲器中;其中为了执行所述存储器存取,所述DRAM被配置成执行作为不间断操作块的下述操作:为所述各自行执行DRAM打开阶段;在所述行缓冲器中存储所述多个高速缓存标签和所述多个高速缓存线;将由所述存储器存取修改的任何数据和由所述存储器存取未修改的数据复制回所述各自行;以及为所述各自行执行DRAM关闭阶段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于超威半导体公司,未经超威半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280059143.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top