[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

MOSFET(1)设置有：第一沟槽(16)，其向主表面(10a)侧打开；衬底(10)，其包括碳化硅，在其主表面(10A)侧打开，其中形成有比第一沟槽(16)浅的第二沟槽(17)；栅极绝缘膜(20)；栅电极(30)；以及源电极(50)，其被定位为以便接触第二沟槽(17)的侧表面(17a)的顶部。衬底(10)包括：源极区(15)、体区(14)、以及漂移区(13)。第一沟槽(16)被形成为贯穿通过源极区(15)和体区(14)并且延伸到漂移区(13)中。第二沟槽(17)被形成为贯穿通过源极区(15)并且延伸到体区(14)。

主权项

一种半导体器件(1)，包括：衬底(10)，所述衬底(10)由碳化硅制成并且具有在所述衬底(10)中形成的第一沟槽(16)和第二沟槽(17)，所述第一沟槽(16)在一个主表面(10a)一侧具有开口，所述第二沟槽(17)在所述主表面(10a)一侧具有开口并且比所述第一沟槽(16)浅；栅极绝缘膜(20)，所述栅极绝缘膜(20)被设置在所述第一沟槽(16)的壁表面(16a)上并且与所述第一沟槽(16)的所述壁表面(16a)接触；栅电极(30)，所述栅电极(30)被设置在所述栅极绝缘膜(20)上并且与所述栅极绝缘膜(20)接触；以及接触电极(50)，所述接触电极(50)被设置在所述第二沟槽(17)的壁表面(17a)上并且与所述第二沟槽(17)的所述壁表面(17a)接触，所述衬底(10)包括源极区(15)，所述源极区(15)包括所述衬底(10)的所述主表面(10a)和所述第一沟槽(16)的所述壁表面(16a)，体区(14)，所述体区(14)与所述源极区(15)接触并且包括所述第一沟槽(16)的所述壁表面(16a)，以及漂移区(13)，所述漂移区(13)与所述体区(14)接触并且包括所述第一沟槽(16)的所述壁表面(16a)，所述第一沟槽(16)被形成为延伸通过所述源极区(15)和所述体区(14)并且到达所述漂移区(13)，所述第二沟槽(17)被形成为延伸通过所述源极区(15)并且到达所述体区(14)。