[发明专利]具有掩埋的导电区域的微机电器件及其制造工艺有效
| 申请号： | 201280053446.X | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103917482B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | R·坎佩代利;R·佩祖托;S·洛萨;M·曼托瓦尼;M·阿兹佩提亚乌尔奎亚 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种由下列各项形成的MEMS器件(17)本体(2)；空腔(25)，在本体上方延伸；移动和固定结构(18、19)，在空腔上方延伸，并且经由锚固区域(16)物理连接到本体；以及电连接区域(10a、10b、10c)，在本体(2)与锚固区域(16)之间延伸，并且电连接到移动和固定结构。电连接区域(10a、10b、10c)由导电多重层形成，该导电多重层包括第一半导体材料层(5)、由半导体材料和过渡金属制成的二元化合物的复合层(6)、和第二半导体材料层(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 导电 区域 微机 器件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件，包括：本体(2)；空腔(25)，在所述本体上方延伸；移动和固定结构(18、19)，在所述空腔(25)上方延伸，并且经由锚固区域(16)物理连接到所述本体；以及电连接区域(10a、10b、10c)，在所述本体(2)与所述锚固区域(16)之间延伸，并且电连接到所述移动和固定结构(18、19)，其中所述电连接区域(10a、10b、10c)包括导电多重层(4)，所述导电多重层(4)包括第一半导体材料层(5)、由半导体材料和过渡金属制成的二元化合物的复合层(6)、和第二半导体材料层(7)；以及保护区域(36a)，所述保护区域(36a)横向覆盖所述电连接区域(10a、10b、10c)。
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