[发明专利]具有掩埋的导电区域的微机电器件及其制造工艺

权利要求书

1.一种MEMS器件，包括：

本体(2)；

空腔(25)，在所述本体上方延伸；

移动和固定结构(18、19)，在所述空腔(25)上方延伸，并且经由锚固区域(16)物理连接到所述本体；以及

电连接区域(10a、10b、10c)，在所述本体(2)与所述锚固区域(16)之间延伸，并且电连接到所述移动和固定结构(18、19)，

其中所述电连接区域(10a、10b、10c)包括导电多重层(4)，所述导电多重层(4)包括第一半导体材料层(5)、由半导体材料和过渡金属制成的二元化合物的复合层(6)、和第二半导体材料层(7)；以及

保护区域(36a)，所述保护区域(36a)横向覆盖所述电连接区域(10a、10b、10c)。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层(5、7)由多晶体硅制成，并且所述复合层(6)由硅化物制成。

3.根据权利要求2所述的MEMS器件，其中所述硅化物是钨硅化物。

4.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS器件，其中所述第一半导体材料层(5)具有被包括在50nm与400nm之间的厚度；所述复合层(6)具有被包括在50nm与600nm之间的厚度；并且所述第二半导体材料层(7)具有被包括在300nm与1200nm之间的厚度。

5.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述保护区域(36a)由多晶体硅制成。

6.根据权利要求1-3和5中任一项所述的MEMS器件，其中所述电连接区域(10a、10b、10c)具有低于0.03mΩ·cm的电阻率。

7.根据权利要求1-3和5中任一项所述的MEMS器件，其中所述电连接区域(10a、10b、10c)具有被包括在12与28之间的均方根粗糙度(Rms)。

8.根据权利要求4所述的MEMS器件，其中所述第一半导体材料层(5)具有被包括在100nm与300nm之间的厚度。

9.根据权利要求4所述的MEMS器件，其中所述复合层(6)具有被包括在100nm与400nm之间的厚度。

10.根据权利要求4所述的MEMS器件，其中所述第二半导体材料层(7)具有被包括在400nm与900nm之间的厚度。

11.一种用于制造根据前述权利要求中任一项所述的MEMS器件(17)的方法，包括下列步骤：

在本体(2)上方形成电连接区域(10a、10b、10c)，所述电连接区域(10a、10b、10c)包括第一半导体材料层(5)、由半导体材料和过渡金属制成的二元化合物的复合层(6)、和在所述复合层上面的第二半导体材料层(7)；

提供保护区域(36a)，所述保护区域(36a)横向覆盖所述电连接区域(10a、10b、10c)；

在所述电连接区域上形成牺牲层(11)；

在所述牺牲层(11)中形成锚固开口(12)，所述锚固开口(12)延伸直至所述电连接区域(10a、10b、10c)；

在所述牺牲层(11)上面并且在所述锚固开口(12)中形成结构层(15)；

在所述结构层中限定移动和固定结构(18、19)；以及

至少部分地去除所述牺牲层(11)。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层(5、7)由多晶体硅制成并且所述复合层(6)由硅化物制成。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述硅化物是钨硅化物。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成复合层(6)包括引起氟化钨与硅烷化合物反应。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的方法，其中形成电连接区域(10a、10b、10c)包括沉积并且限定导电多重层(4)；沉积导电多重层包括沉积所述第一半导体材料层(5)、沉积所述复合层(6)以及沉积所述第二半导体材料层(7)。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括，在限定所述导电多重层(4)之后，在被包括在800℃与1200℃之间的温度执行热退火处理。