[发明专利]氮化物半导体发光元件、以及氮化物半导体发光元件的制作方法

摘要

本发明提供一种设置于半极性面上并抑制了发光所需要的偏压电压的上升的氮化物半导体发光元件以及该氮化物半导体发光元件的制作方法。在具有半极性面的主面(13a)的由六方晶类氮化物半导体构成的支撑基体上设置的发光层(17)的多重量子阱构造由阱层(17a)和阱层(17c)、以及阻挡层(17b)构成，阻挡层(17b)设置于阱层(17a)和阱层(17c)之间，阱层(17a)和阱层(17c)由InGaN构成，阱层(17a)和阱层(17c)具有处于0.15以上0.50以下的范围的铟组成，主面(13a)相对于六方晶类氮化物半导体的c面的倾斜角α处于50度以上80度以下的范围、以及130度以上170度以下的范围中的任一范围，阻挡层(17b)的膜厚的值L处于1.0nm以上4.5nm以下的范围。

主权项

一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：支撑基体，由六方晶类氮化物半导体构成，并具有从所述六方晶类氮化物半导体的c面向预先规定的方向倾斜的主面；n型氮化镓类半导体层，设置于所述支撑基体的所述主面上；发光层，设置于所述n型氮化镓类半导体层上，并由氮化镓类半导体构成；以及p型氮化镓类半导体层，设置于所述发光层上，所述发光层具有多重量子阱构造，所述多重量子阱构造由至少两层的阱层和至少一层的阻挡层构成，所述阻挡层设置于所述两层的阱层之间，所述两层的阱层由InGaN构成，所述两层的阱层具有处于0.15以上0.50以下的范围的第一铟组成，所述主面相对于所述c面的倾斜角处于50度以上80度以下的范围、以及130度以上170度以下的范围中的任一范围，所述阻挡层的膜厚处于1.0nm以上4.5nm以下的范围。