[发明专利]氮化物半导体发光元件、以及氮化物半导体发光元件的制作方法

说明书

技术领域

本发明关于氮化物半导体发光元件。 

背景技术

在专利文献1，公开了用于对发光元件的量子阱构造(MQW构造、SQW构造)中的空穴的注入/扩散状态进行改善、对发光效率进行改善的技术。 

在专利文献2中，公开了对能够将活性层中的压电极化的朝向选择为适当的方向的半导体发光元件进行制作的方法。 

在专利文献3中公开了将向阱层的载流子的注入效率提高后的氮化物系半导体发光元件。 

在非专利文献1公开了具有发出蓝绿色激光的多重量子阱构造的LED。在非专利文献2公开了具有发出绿色激光的多重量子阱构造的LED。 

现有技术文献 

专利文献 

专利文献1：日本特开2002－270894号公报 

专利文献2：日本特开2011－77395号公报 

专利文献3：日本特开2011－40709号公报 

非专利文献 

非专利文献1“Characterization of blue-green m-plane InGaN light emitting diodes(蓝绿m-面InGaN光发射二极管的特性)”，You-Da Lin,Arpan Chakraborty,Stuart Brinkley,Hsun Chih Kuo,Thiago Melo,Kenji Fujito,James S.Speck,Steven P.DenBaars,and Shuji Nakamura，Applied Physics Letters(应用物理学报)94，261108(2009)。 

非专利文献2“High Quality InGaN/AlGaN Multiple Quantum Wells for Semipolar InGaN Green Laser Diodes(用于半极性InGaN蓝光激光二极管的高质量InGaN/AlGaN多重量子阱)”，You-Da Lin,Shuichiro Yamamoto,Chia-Yen Huang,Chia-Lin Hsiung,Feng Wu,Kenji Fujito,Hiroaki Ohta,James S.Speck,Steven P.DenBaars,and Shuji Nakamura，Applied Physics Express3(应用物理快报3)，(2010)082001。 

发明内容

发明要解决的课题 

专利文献1的发光层在MQW构造的情况下，以空穴从p型半导体层一侧向n型半导体层一侧易于在该MQW构造中更远地移动的方式，以MQW构造中的多个壁垒层的中的至少两层的能带隙相互不同的方式，优选为在多层中存在阶梯地从p型侧向n型侧变低的部分的方式，构成MQW构造。在发光层为SQW构造的情况下，构成为，使p型侧的壁垒层组成倾斜、能带隙从p型侧向n型侧变低。 

在专利文献2中，一边在基板生产物上施加偏压，一边进行基板生产物的光致发光的测定，从而得到基板生产物的光致发光的偏压依存性，所述基板生产物是以所选择的一或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造以及p型和n型氮化镓类半导体层而形成的基板生产物。接下来，根据偏压依存性，在基板主面的所选择的倾斜角的各个中进行发光层中的压电极化的朝向的估计。接下来，基于估计而对与基板 主面对应的倾斜角以及与基板主面的背面对应的倾斜角中的任一角的使用进行判断，从而对用于半导体发光元件的制作的生长基板的面取向进行选择。在生长基板的主面上形成用于半导体发光元件的半导体叠层。 

专利文献3的氮化物半导体发光元件具备：由六方晶类氮化镓类半导体构成的基板、设置于基板的主面上的n型氮化镓类半导体区域、设置于该n型氮化镓类半导体区域上的单一量子阱构造的发光层、以及设置于发光层上的p型氮化镓类半导体区域。发光层设置于n型氮化镓类半导体区域和p型氮化镓类半导体区域之间，并包含阱层和阻挡层以及阻挡层。阱层是InGaN。基板的主面沿着基准平面而延伸，所述基准平面从与六方晶类氮化镓类半导体的c轴方向正交的面以63度以上80度以下或100度以上117度以下的范围内的倾斜角而倾斜。 

非专利文献1的LED形成于m面上。非专利文献2的LD形成于(20－21)面上。