[发明专利]氮化物半导体发光元件、以及氮化物半导体发光元件的制作方法无效

专利信息
申请号: 201280053028.0 申请日: 2012-08-13
公开(公告)号: CN104025318A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 京野孝史;盐谷阳平;上野昌纪 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: H01L33/32 分类号: H01L33/32;H01S5/343
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李亚;穆德骏
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 氮化物 半导体 发光 元件 以及 制作方法
【权利要求书】:

1.一种氮化物半导体发光元件,其特征在于,具备:

支撑基体,由六方晶类氮化物半导体构成,并具有从所述六方晶类氮化物半导体的c面向预先规定的方向倾斜的主面;

n型氮化镓类半导体层,设置于所述支撑基体的所述主面上;

发光层,设置于所述n型氮化镓类半导体层上,并由氮化镓类半导体构成;以及

p型氮化镓类半导体层,设置于所述发光层上,

所述发光层具有多重量子阱构造,

所述多重量子阱构造由至少两层的阱层和至少一层的阻挡层构成,

所述阻挡层设置于所述两层的阱层之间,

所述两层的阱层由InGaN构成,

所述两层的阱层具有处于0.15以上0.50以下的范围的第一铟组成,

所述主面相对于所述c面的倾斜角处于50度以上80度以下的范围、以及130度以上170度以下的范围中的任一范围,

所述阻挡层的膜厚处于1.0nm以上4.5nm以下的范围。

2.根据权利要求1记载的氮化物半导体发光元件,其特征在于,

所述阻挡层的膜厚是将所述阱层的膜厚加上0.50nm后的值以下,并且是从所述阱层的膜厚减去0.50nm后的值以上。

3.根据权利要求1或2记载的氮化物半导体发光元件,其特征在于,

所述阻挡层由InGaN构成,

所述阻挡层具有处于0.01以上0.10以下的范围的第二铟组成。

4.根据权利要求1~3中任一项记载的氮化物半导体发光元件,其特征在于,

所述n型氮化镓类半导体层具有InGaN层,

在所述InGaN层上设置所述发光层,

在所述n型氮化镓类半导体层的内部中的所述InGaN层的所述支撑基体侧的表面存在失配位错,

所述失配位错沿与基准轴和所述六方晶类氮化物半导体的c轴正交的方向延伸,所述基准轴是与所述InGaN层的所述表面正交并包含所述六方晶类氮化物半导体的c轴的基准面和所述InGaN层的所述表面所共有的基准轴,

所述失配位错的密度处于5×103cm-1以上1×105cm-1以下的范围。

5.根据权利要求4记载的氮化物半导体发光元件,其特征在于,

所述InGaN层具有处于0.03以上0.05以下的范围的第三铟组成。

6.根据权利要求3记载的氮化物半导体发光元件,其特征在于,

所述第二铟组成从所述p型氮化镓类半导体层一侧向所述n型氮化镓类半导体层一侧增加。

7.根据权利要求1~6中任一项记载的氮化物半导体发光元件,其特征在于,

所述主面相对于所述c面的倾斜角处于63度以上80度以下的范围。

8.根据权利要求1~7中任一项记载的氮化物半导体发光元件,其特征在于,

所述第一铟组成处于0.24以上0.40以下的范围。

9.根据权利要求3记载的氮化物半导体发光元件,其特征在于,

所述第二铟组成处于0.01以上0.06以下的范围。

10.根据权利要求1~9中任一项记载的氮化物半导体发光元件,其特征在于,

所述阻挡层的膜厚处于1.0nm以上3.5nm以下的范围。

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