[发明专利]氮化物半导体发光元件、以及氮化物半导体发光元件的制作方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：

支撑基体，由六方晶类氮化物半导体构成，并具有从所述六方晶类氮化物半导体的c面向预先规定的方向倾斜的主面；

n型氮化镓类半导体层，设置于所述支撑基体的所述主面上；

发光层，设置于所述n型氮化镓类半导体层上，并由氮化镓类半导体构成；以及

p型氮化镓类半导体层，设置于所述发光层上，

所述发光层具有多重量子阱构造，

所述多重量子阱构造由至少两层的阱层和至少一层的阻挡层构成，

所述阻挡层设置于所述两层的阱层之间，

所述两层的阱层由InGaN构成，

所述两层的阱层具有处于0.15以上0.50以下的范围的第一铟组成，

所述主面相对于所述c面的倾斜角处于50度以上80度以下的范围、以及130度以上170度以下的范围中的任一范围，

所述阻挡层的膜厚处于1.0nm以上4.5nm以下的范围。

2.根据权利要求1记载的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述阻挡层的膜厚是将所述阱层的膜厚加上0.50nm后的值以下，并且是从所述阱层的膜厚减去0.50nm后的值以上。

3.根据权利要求1或2记载的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述阻挡层由InGaN构成，

所述阻挡层具有处于0.01以上0.10以下的范围的第二铟组成。

4.根据权利要求1～3中任一项记载的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述n型氮化镓类半导体层具有InGaN层，

在所述InGaN层上设置所述发光层，

在所述n型氮化镓类半导体层的内部中的所述InGaN层的所述支撑基体侧的表面存在失配位错，

所述失配位错沿与基准轴和所述六方晶类氮化物半导体的c轴正交的方向延伸，所述基准轴是与所述InGaN层的所述表面正交并包含所述六方晶类氮化物半导体的c轴的基准面和所述InGaN层的所述表面所共有的基准轴，

所述失配位错的密度处于5×10³cm^－1以上1×10⁵cm^－1以下的范围。

5.根据权利要求4记载的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述InGaN层具有处于0.03以上0.05以下的范围的第三铟组成。

6.根据权利要求3记载的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述第二铟组成从所述p型氮化镓类半导体层一侧向所述n型氮化镓类半导体层一侧增加。

7.根据权利要求1～6中任一项记载的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述主面相对于所述c面的倾斜角处于63度以上80度以下的范围。

8.根据权利要求1～7中任一项记载的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述第一铟组成处于0.24以上0.40以下的范围。

9.根据权利要求3记载的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述第二铟组成处于0.01以上0.06以下的范围。

10.根据权利要求1～9中任一项记载的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述阻挡层的膜厚处于1.0nm以上3.5nm以下的范围。