[发明专利]半导体装置以及半导体装置制造方法有效

专利信息
申请号: 201280050671.8 申请日: 2012-09-12
公开(公告)号: CN103890934B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 高桥秀明;唐泽达也;坂本阳 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H05K5/00;H05K7/06
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 宋俊寅
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明实现稳定的焊接性,防止连接不良的产生。半导体装置(1)包括绝缘基板(11)和外围壳体(20)。绝缘基板(11)安装有半导体元件(12)。外围壳体(20)收容绝缘基板(11)。外围壳体(20)的侧壁(20a、20b)上设有两端固定的金属制的端子条(30),端子条(30)上设有向绝缘基板(11)一侧突起的端子部(32‑1、32‑2)。端子条(30)的两端上、与绝缘基板(11)相对的面(31a)的相反侧的面(31b)上的、位于外围壳体(20)的侧壁(20a、20b)附近的位置上设有实施了冲压槽加工的冲压槽(33‑1、33‑2)。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:安装有半导体元件的绝缘基板;收容所述绝缘基板的外围壳体;以及配置在所述绝缘基板的上部、且两端固定在所述外围壳体的侧壁上的金属制的端子条,在所述端子条的两端部的、与所述绝缘基板相对的面的相反侧的面上的位于所述外围壳体的侧壁附近的位置上分别设有冲压槽。
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