[发明专利]半导体装置以及半导体装置制造方法有效
| 申请号： | 201280050671.8 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103890934B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 高桥秀明;唐泽达也;坂本阳 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H05K5/00;H05K7/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
安装有半导体元件的绝缘基板；
收容所述绝缘基板的外围壳体；以及
配置在所述绝缘基板的上部、且两端固定在所述外围壳体的侧壁上的金属制的端子条，
在所述端子条的两端部的、与所述绝缘基板相对的面的相反侧的面上的位于所述外围壳体的侧壁附近的位置上分别设有冲压槽。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述冲压槽的凹部向与所述绝缘基板相对的面的相反侧的面开口。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
确定所述冲压槽的热变形方向，使得在对形成在所述端子条上的端子部和所述绝缘基板进行焊接时，所述端子条由于焊接的加热而向所述绝缘基板所在位置的下方变形，从而所述端子条靠近所述绝缘基板。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述外围壳体具有隔开一定间隔层状重叠的多个端子条，所述多个端子条的所述冲压槽设置在同一位置。
5.一种半导体装置制造方法，其特征在于，
由具有金属制的端子条的外围壳体收容安装有半导体元件的绝缘基板，
所述端子条配置在所述绝缘基板的上部，且两端固定在所述外围壳体的侧壁上，且对于两端部，在与所述绝缘基板相对的面的相反侧的面上的位于所述外围壳体的侧壁附近的位置上分别设置冲压槽，
对形成在所述端子条上的端子部与所述绝缘基板进行焊接来制造半导体装置。
6.如权利要求5所述的半导体装置制造方法，其特征在于，
所述冲压槽的凹部向与所述绝缘基板相对的面的相反侧的面开口。
7.如权利要求5所述的半导体装置制造方法，其特征在于，
确定所述冲压槽的热变形方向，使得在对所述端子部和所述绝缘基板进行焊接时，所述端子条由于焊接的加热而向所述绝缘基板所在位置的下方变形，从而所述端子条靠近所述绝缘基板。
8.如权利要求5所述的半导体装置制造方法，其特征在于，
所述外围壳体具有隔开一定间隔层状重叠的多个端子条，所述多个端子条的所述冲压槽设置在同一位置。
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