[发明专利]半导体装置以及半导体装置制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有功率半导体元件（IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管）等半导体元件的半导体装置以及制造半导体装置的半导体装置制造方法。

背景技术

半导体装置通常具有如下结构：搭载在散热用金属底板上的半导体元件与绝缘基板进行引线接合，并由外围壳体覆盖这些元器件。

作为外围壳体的主要形状，广泛使用了如下这种类型：外围壳体的周围四边中、相对的两边具有两个相同极性的外部端子，相对的上述外部端子通过端子条相连。端子条上还形成有用于与绝缘基板相连的端子部。

在使用这种外围壳体制造半导体装置的情况下，首先将安装有半导体元件的绝缘基板定位于外围壳体，并利用粘接剂将搭载了绝缘基板的金属壳体板安装在外围壳体上。之后，利用焊锡膏对设置在外围壳体上的端子条的端子部和绝缘基板进行焊接。

现有技术提出了如下这种半导体装置：对装入了半导体元件的封装的相对的两边排列正负一对直流输入端子，并使得同极性的直流输入端子彼此相对（专利文献1）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开平7-111310号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在将安装有半导体元件的绝缘基板装入外围壳体并对端子条的端子部和绝缘基板进行焊接的情况下，金属制的端子条会因焊接时的热量而被加热，从而引起热膨胀。

此时，由于端子条的两端固定，因此在常温下，平坦的端子条产生与热膨胀相应的变形，可能会在端子条的端子部与绝缘基板之间产生间隙。若在端子条的端子部与绝缘基板之间产生间隙，则焊接性会变差，存在连接不良的问题。

本发明是鉴于上述内容而完成的，其目的在于提供一种焊接性稳定、且能防止连接不良的半导体装置。

本发明的其它目的在于提供一种焊接性稳定、且能防止连接不良的半导体装置制造方法。

解决技术问题所采用的技术方案

为解决上述问题，提供一种半导体装置。该半导体装置包括：安装有半导体元件的绝缘基板；收容绝缘基板的外围壳体；以及配置在绝缘基板的上部、且两端固定在外围壳体的侧壁上的金属制的端子条。此外，在端子条的两端部的、与绝缘基板相对的面的相反侧的面上的位于外围壳体的侧壁附近的位置上分别设有冲压槽。

发明效果

半导体装置采用如下结构：包括绝缘基板、外围壳体、以及配置在绝缘基板的上部、且两端固定在外围壳体的侧壁上的金属制的端子条，在端子条的两端部上、与绝缘基板相对的面的相反侧的面上的位于外围壳体的侧壁附近的位置上分别设有冲压槽。由此，能在焊接加热时实现稳定的焊接性，从而能防止连接不良。

此外，半导体装置制造方法利用外围壳体收容绝缘基板，来制造半导体装置，其中，该外围壳体具有金属制的端子条，该金属制的端子条设置于配置在绝缘基板的上部、且两端固定在外围壳体的侧壁上，并且对于该金属制的端子条的两端部，在与绝缘基板相对的面的相反侧的面上的位于该侧壁附近的位置上设有冲压槽。由此，能在焊接加热时实现稳定的焊接性，从而能防止连接不良。

通过表示作为本发明的示例的优选实施方式的附图以及相关的下述说明可进一步明确本发明的上述和其他目的、特征以及优点。

附图说明

图1是表示半导体装置的结构例的图。

图2是半导体装置的俯视图。

图3是半导体装置的剖视图。

图4是用于说明端子条的变形的图。

图5是用于说明端子条的变形的图。

图6是用于说明端子条的变形的图。

图7是半导体装置的俯视图。

图8是半导体装置的剖视图。

图9是表示冲压槽的图。

图10是表示冲压槽的图。

图11是表示冲压槽的图。

图12是表示半导体装置的结构例的图。

图13是表示位于同一位置的冲压槽的图。

图14是表示半导体装置的制造方法的流程图。

具体实施方式

下面,参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1是表示半导体装置的结构例的图。半导体装置1包括绝缘基板11和外围壳体20。绝缘基板11安装有半导体元件12。外围壳体20收容绝缘基板11。

外围壳体20的侧壁20a、20b上，在绝缘基板11的上部设有两端固定的金属制（例如铜制）的端子条30，端子条30上形成有向绝缘基板11一侧突起的端子部32-1、32-2。