[发明专利]在金属成型体和结合到厚布线或条片用的功率半导体间形成连接的方法在审
| 申请号： | 201280050150.2 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103875067A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 马丁·贝克尔;罗纳德·艾西尔;弗兰克·奥斯特瓦尔德;加赛克·鲁兹基 | 申请（专利权）人： | 丹佛斯硅动力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王鹏鑫 |
| 地址： | 德国石*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及将具有上侧电势面的功率半导体芯片连接到厚布线或条片的方法，该方法包括以下步骤：提供与上侧电势面的形状相对应的金属成型体；将连接层涂覆到上侧电势面或金属成型体上；在厚布线结合到成型体的非被添加的上侧之前，布置金属成型体并且添加适合的材料、电导通的化合物到电势面。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 成型 结合 布线 条片用 功率 半导体 形成 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成具有上侧电势面的功率半导体芯片（12）与厚布线或条片的连接的方法，其特征在于：提供与所述上侧电势面的形状相对应的金属成型体（4、5）；在所述上侧电势面或所述金属成型体（4、5）上涂覆结合层（7）；以及在厚布线结合到所述成型体（4、5）的非结合上侧之前，布置所述金属成型体（4、5）并且形成与所述电势面的粘合的电导通连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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