[发明专利]在金属成型体和结合到厚布线或条片用的功率半导体间形成连接的方法

权利要求书

1.一种用于形成具有上侧电势面的功率半导体芯片（12）与厚布线或条片的连接的方法，其特征在于：

提供与所述上侧电势面的形状相对应的金属成型体（4、5）；

在所述上侧电势面或所述金属成型体（4、5）上涂覆结合层（7）；以及

在厚布线结合到所述成型体（4、5）的非结合上侧之前，布置所述金属成型体（4、5）并且形成与所述电势面的粘合的电导通连接。

2.根据权利要求1所述的用于形成功率半导体芯片（12）的连接的方法，其特征在于，所提供的所述成型体（4、5）包括由Cu、Ag、Au、Mo、Al、W构成的组中的至少一种金属或它们的合金，所述合金包括前述组中的一种或多种金属。

3.根据上述权利要求中任一项所述的用于形成功率半导体芯片（12）的连接的方法，其特征在于，利用所述结合层（7），成型体（4、5）和电势面通过烧结、扩散焊接或者胶合到所述功率半导体芯片（12）上的方式结合。

4.根据上述权利要求中任一项所述的用于形成功率半导体芯片（12）的连接的方法，其特征在于，提供所述成型体（4、5）的步骤是在有机承载箔（1）上进行的。

5.根据上述权利要求中任一项所述的用于形成功率半导体芯片（12）的连接的方法，其特征在于，具有所述功率半导体芯片（12）下侧形状的另外的成型体设置成与所述功率半导体芯片（12）下侧的结合层粘性连接，所述下侧与所述上侧电势面相对。

6.根据上述权利要求中任一项所述的用于形成功率半导体芯片（12）的连接的方法，其特征在于，能够耐住所述结合的热负载的电绝缘材料用于所述承载箔（1）。

7.根据上述权利要求中任一项所述的用于形成功率半导体芯片（12）的连接的方法，其特征在于，在结合之前，具有与电势面的数目对应数目的多个成型体（4、5）的承载箔（1）的承载片被置于两个以上的未分开的功率半导体芯片（12）上。

8.根据上述权利要求中任一项所述的用于形成功率半导体芯片（12）的连接的方法，其特征在于，在结合所述成型体（4、5）之后，在将所述功率半导体芯片（12）分开之前去除所述承载片。

9.根据上述权利要求1～7中任一项所述的用于形成功率半导体芯片（12）的连接的方法，其特征在于，在待结合的所述成型体（4、5）的中央局部表面的上方，所述承载片未设有粘合剂。