[发明专利]陶瓷构件、半导体制造装置用构件及陶瓷构件的制造方法有效
| 申请号： | 201280049986.0 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103857643A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 渡边守道;神藤明日美;胜田祐司;佐藤洋介;矶田佳范;渡边笃 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/04 | 分类号： | C04B35/04;C04B35/58;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本爱知县名古*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的陶瓷构件（30）包含有：以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg（Al）O（N）为主相的陶瓷基体（32）和配置在部分陶瓷基体（32）上、作为电极成分含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上的电极（34）。该陶瓷基体（32）也可以是使用CuKα射线时的所述Mg（Al）O（N）的（111）面、（200）面、（220）面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°，42.9～44.8°，62.3～65.2°。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 构件 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种陶瓷构件，包含陶瓷基体和电极，所述陶瓷基体以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg（Al）O（N）为主相，所述电极配置于所述陶瓷基体的一部分上，含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上作为电极成分。
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