[发明专利]陶瓷构件、半导体制造装置用构件及陶瓷构件的制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷构件，包含陶瓷基体和电极，

所述陶瓷基体以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg（Al）O（N）为主相，

所述电极配置于所述陶瓷基体的一部分上，含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上作为电极成分。

2.根据权利要求1所述的陶瓷构件，所述陶瓷基体中，使用CuKα射线时的所述Mg（Al）O（N）的（111）面、（200）面、（220）面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°，42.9～44.8°，62.3～65.2°。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷构件，所述陶瓷基体的所述Mg（Al）O（N）的（200）面、（220）面的XRD波峰分别出现在2θ=42.92°以上，62.33°以上。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的陶瓷构件，所述陶瓷基体的所述Mg（Al）O（N）的（200）面的XRD波峰的积分宽度在0.50°以下。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的陶瓷构件，所述陶瓷基体不含AlN晶相。

6.根据权利要求1～5任意一项所述的陶瓷构件，所述陶瓷基体含有Mg-Al氮氧化物相作为副相，所述Mg-Al氮氧化物相在使用CuKα射线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～49°。

7.根据权利要求6所述的陶瓷构件，对于所述陶瓷基体，将所述Mg-Al氮氧化物相的2θ=47～49°的XRD波峰强度设为A、所述Mg（Al）O（N）的（220）面的2θ=62.3～65.2°的XRD波峰强度设为B时，A/B在0.03以上。

8.根据权利要求7所述的陶瓷构件，所述陶瓷基体的所述A/B在0.14以下。

9.根据权利要求1～8任意一项所述的陶瓷构件，所述陶瓷基体的混合粉末组成为：氧化镁在49质量%以上、99质量%以下，氮化铝在0.5质量%以上、25质量%以下，氧化铝在0.5质量%以上、30质量%以下。

10.根据权利要求1～9任意一项所述的陶瓷构件，所述电极含有氮化物、碳化物、碳氮化物、金属中的任意1个以上作为电极成分，所述氮化物、碳化物、碳氮化物、金属包含Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Ru、Ir、Rh、Pt中的1个以上。

11.根据权利要求1～10任意一项所述的陶瓷构件，所述电极的所述电极成分的热膨胀率在4.0ppm/K以上。

12.根据权利要求1～11任意一项所述的陶瓷构件，所述电极包含所述电极成分和含有Mg及O的填料成分。

13.根据权利要求1～12任意一项所述的陶瓷构件，所述电极的电阻率在10Ωcm以下。

14.根据权利要求1～13任意一项所述的陶瓷构件，所述陶瓷基体与所述电极的原料成分的热膨胀率差的绝对值在0.8ppm/K以下。

15.根据权利要求1～13任意一项所述的陶瓷构件，所述陶瓷基体与含有金属成分及填料成分的所述电极的热膨胀率差的绝对值在3.0ppm/K以下。

16.一种半导体制造装置用构件，包含权利要求1～15任意一项所述的陶瓷构件。

17.一种陶瓷构件的制造方法，是通过在含有Mg、O、Al及N成分的陶瓷成形体或烧结体的一部分上，配置含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上的电极原料后，将含有Mg、O、Al及N成分的所述陶瓷成形体或烧结体和所述电极原料共烧结，由此制作权利要求1～14任意一项所述的陶瓷构件。

18.根据权利要求17所述的陶瓷构件的制造方法，其使用热压烧结所述成形体。