[发明专利]腔室之间具备反压防止机构的真空处理装置有效
申请号: | 201280046795.9 | 申请日: | 2012-10-05 |
公开(公告)号: | CN103858207B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 林光煜 | 申请(专利权)人: | 株式会社善隣 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健 |
地址: | 韩国京畿道华城市正*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及由用于处理LCD、OLED、SOLAR等基片的多个腔室构成的真空处理装置,更为详细地讲,涉及在彼此相邻的腔室之间具备用于防止反压的机构的真空处理装置。为此,使具备于腔室之间并给开闭基片出入的狭缝的狭缝阀提供动作所需空间的盒式腔室的压力与进行排气(大气状态)的腔室的压力相同而形成等压,而将密封着形成真空的腔室(真空腔室)侧狭缝的狭缝阀的阀板进一步向真空腔室侧加压使得该阀板贴紧真空腔室侧,从而防止发生因排气腔室与真空腔室的压力差而引起的内漏,因而能够减少基片的不良。 | ||
搜索关键词: | 之间 具备 防止 机构 真空 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种腔室之间具备反压防止机构的真空处理装置,包括处理腔室、传输腔室、以及装载锁腔室,上述腔室之间具备反压防止机构的真空处理装置,其特征在于,包括:盒式腔室,其设置于上述处理腔室、传输腔室、以及装载锁腔室之间,且在彼此相对的两侧分别形成有提供基片出入的通道的狭缝,并在内部提供容纳狭缝阀的空间,该狭缝阀具备各自为了开闭上述狭缝而进行升降动作的第一阀板和第二阀板;排气检测部,其在上述处理腔室、传输腔室检测注入排出气体的排气工序;盒式腔室等压部,其由各自连接上述处理腔室、传输腔室和盒式腔室的第一和第二旁通管路、以及各自设置于上述第一和第二旁通管路上并在各旁通管路控制气体的流动的第一和第二控制阀构成,且在上述处理腔室以及传输腔室执行排气工序时在以上述第一和第二阀板分别密封了上述盒式腔室的两侧狭缝的状态下,将已注入上述处理腔室以及传输腔室的气体旁通至上述盒式腔室而在执行排气工序的腔室与盒式腔室之间造成相同压力状态;控制部,其根据在上述排气检测部所检测的信号判断上述处理腔室以及传输腔室正在进行排气工序或真空工序,并根据判断结果而控制上述盒式腔室等压部,以便对提供至处理腔室以及传输腔室的气体的流动进行掌控;以及排气阀,其连接于上述处理腔室以及传输腔室,从而从外部向处理腔室以及传输腔室注入排出气体,上述排气检测部由设置于处理腔室以及传输腔室外部的上述排气阀侧且检测用于使上述排气阀以打开和关闭状态动作的电信号的排气阀检测传感器构成。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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