[发明专利]腔室之间具备反压防止机构的真空处理装置有效
| 申请号: | 201280046795.9 | 申请日: | 2012-10-05 |
| 公开(公告)号: | CN103858207B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
| 发明(设计)人: | 林光煜 | 申请(专利权)人: | 株式会社善隣 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健 |
| 地址: | 韩国京畿道华城市正*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 之间 具备 防止 机构 真空 处理 装置 | ||
1.一种腔室之间具备反压防止机构的真空处理装置,包括处理腔室、传输腔室、以及装载锁腔室,上述腔室之间具备反压防止机构的真空处理装置其特征在于,包括:
盒式腔室,其设置于上述各腔室之间,且在彼此相对的两侧分别形成有提供基片出入的通道的狭缝,并在内部提供容纳狭缝阀的空间,该狭缝阀具备各自为了开闭上述狭缝而进行升降动作的第一阀板和第二阀板;排气检测部,其在上述各腔室检测注入排出气体的排气工序;盒式腔室等压部,其由各自连接上述各腔室和盒式腔室的第一和第二旁通管路、以及各自设置于上述第一和第二旁通管路上并在各旁通管路控制气体的流动的第一和第二控制阀构成,且在上述各腔室执行排气工序时在以上述第一和第二阀板分别密封了上述盒式腔室的两侧狭缝的状态下,将已注入上述各腔室的气体旁通至上述盒式腔室而在执行排气工序的腔室与盒式腔室之间造成等压状态;以及控制部,其根据在上述排气检测部所检测的信号判断上述各腔室的排气工序或真空工序而控制上述盒式腔室等压部的气体的流动。
2.根据权利要求1所述的腔室之间具备反压防止机构的真空处理装置,其特征在于,
进一步包括连接于上述各腔室而向各腔室注入排出气体的排气阀,上述排气检测部由设置于上述排气阀侧且检测用于使排气阀以打开和关闭状态动作的电信号的排气阀检测传感器构成。
3.根据权利要求1所述的腔室之间具备反压防止机构的真空处理装置,其特征在于,
上述狭缝阀进一步包括连接上述第一阀板和第二阀板的连接部件,上述第一阀板和第二阀板由一个驱动机构而同时驱动。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社善隣,未经株式会社善隣许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280046795.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





