[发明专利]包含具有不同的少数载流子寿命的沟道区域的设备及方法

摘要

本发明展示例如存储器装置、存储器单元串及电子系统等设备及形成此类设备的方法。一个这样的设备包含沟道区域，在所述沟道区域中，少数载流子寿命在一个或一个以上端部分处比在中间部分中低。还揭示其它设备及方法。

主权项

一种设备，其包括：加长沟道区域，其具有耦合到第一端的源极区域及耦合到第二端的漏极区域；及若干存储器单元栅极，其沿所述加长沟道区域的本体区域的长度安置，所述多个栅极中的每一者通过相应电荷存储结构而与所述加长沟道区域分离，其中所述加长沟道区域进一步包括位于所述加长沟道区域的所述第一端处的第一再结合区域及位于所述加长沟道区域的所述第二端处的第二再结合区域，其中所述本体区域介于所述第一再结合区域与所述第二再结合区域之间，且其中所述第一再结合区域及所述第二再结合区域中的至少一者具有低于所述本体区域的少数载流子寿命。