[发明专利]包含具有不同的少数载流子寿命的沟道区域的设备及方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

加长沟道区域，其具有耦合到第一端的源极区域及耦合到第二端的漏极区域；及

若干存储器单元栅极，其沿所述加长沟道区域的本体区域的长度安置，所述多个栅极中的每一者通过相应电荷存储结构而与所述加长沟道区域分离，

其中所述加长沟道区域进一步包括位于所述加长沟道区域的所述第一端处的第一再结合区域及位于所述加长沟道区域的所述第二端处的第二再结合区域，其中所述本体区域介于所述第一再结合区域与所述第二再结合区域之间，且其中所述第一再结合区域及所述第二再结合区域中的至少一者具有低于所述本体区域的少数载流子寿命。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述再结合区域中的所述至少一者具有不同于所述本体区域的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述再结合区域中的所述至少一者具有不同于所述本体区域的晶格应变条件。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述再结合区域中的所述至少一者包括不同于所述加长沟道区域的半导体材料。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述加长沟道区域被掺杂为p型且所述源极及漏极区域被掺杂为n型，且其中所述沟道区域的所述再结合区域中的所述至少一者被掺杂到高于所述沟道区域的所述本体区域的浓度。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述电荷存储结构包含电介质层。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包括NAND存储器串阵列。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述设备进一步包括耦合到包括所述NAND存储器串阵列的存储器装置的处理器。

9.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括耦合到所述处理器的显示装置。

10.一种设备，其包括：

p型掺杂加长沟道区域，其具有耦合到第一端的源极区域及耦合到第二端的漏极区域；及

若干存储器单元栅极，其沿所述加长沟道区域的中间部分的长度安置，所述多个栅极中的每一者通过相应电荷存储结构而与所述加长沟道区域分离，

其中p掺杂剂浓度在所述p型掺杂加长沟道区域的所述第一端及所述第二端处比在所述加长沟道区域的所述中间部分中高。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述加长沟道区域相对于衬底表面垂直定向。

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述加长沟道区域的至少一部分相对于衬底表面水平定向。

13.根据权利要求10所述的设备，其中所述加长沟道区域形成“U”形状。

14.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括与所述第一端相邻的第一选择栅极及与所述第二端相邻的第二选择栅极。

15.一种形成存储器串的方法，其包括：

形成源极区域及漏极区域；

形成耦合于所述源极区域与漏极区域之间的加长沟道区域；及

形成若干存储器单元栅极，所述存储器单元栅极中的每一者通过相应电荷存储结构而与所述加长沟道区域分离，

其中形成所述加长沟道区域包括形成所述加长沟道区域的端部分，其中所述端部分中的至少一者具有低于所述加长沟道区域的中间部分的少数载流子寿命。

16.根据权利要求15所述的方法，其中形成源极区域及漏极区域包括形成n型掺杂源极区域及漏极区域，且其中形成加长沟道区域包括形成p型掺杂加长沟道区域。

17.根据权利要求15所述的方法，其中形成端部分包括以比用以形成所述中间部分的掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度沉积掺杂多晶硅以形成所述端部分。

18.根据权利要求15所述的方法，其中形成端部分包括：以比用以形成所述加长沟道区域的所述中间部分的掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度植入掺杂剂以形成所述端部分。

19.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括形成与所述加长沟道区域的所述端部分中的第一者相邻的第一选择栅极及与所述加长沟道区域的所述端部分中的第二者相邻的第二选择栅极。