[发明专利]制造包括封装的支持结构内的嵌入式电路组件的半导体封装有效
| 申请号： | 201280044452.9 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103797575B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 约维察·萨维奇;杨志平;杰·薛;立·李 | 申请（专利权）人： | 思科技术公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/50;H05K1/18 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人： | 李晓冬 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在支持结构中形成空腔，所述支持结构用于支持半导体器件，并且电路元件的至少一部分被布置于支持结构中的空腔内。支持结构中的空腔被填充有非导电填充材料，从而用非传导填充材料至少部分地围绕电路元件，并且半导体器件被电连接至电路元件。在示例实施例中，电路元件用于基本上阻断由所述半导体器件或者另一半导体器件输出的直流。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 包括 封装 支持 结构 嵌入式 电路 组件 半导体 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体封装的方法，包括：在支持结构中形成空腔，所述支持结构用于支持半导体器件；在所述支持结构中的所述空腔中布置电路元件的至少一部分；用非导电填充材料填充所述支持结构中的所述空腔，从而用所述非导电填充材料至少部分地围绕所述电路元件；以及将所述半导体器件电连接至所述电路元件，其中在所述支持结构中形成所述空腔包括：在所述支持结构内形成第一开口；用填充材料来填充所述第一开口；以及在所述填充材料内形成第二开口，其中所述第二开口被形成为所述空腔，并且所述电路元件的至少一部分被布置于所述第二开口内，其中，所述第二开口被形成为具有变化的剖面尺寸。
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