[发明专利]制造包括封装的支持结构内的嵌入式电路组件的半导体封装

权利要求书

1.一种用于制造半导体封装的方法，包括：

在支持结构中形成空腔，所述支持结构用于支持半导体器件；

在所述支持结构中的所述空腔中布置电路元件的至少一部分；

用非导电填充材料填充所述支持结构中的所述空腔，从而用所述非导电填充材料至少部分地围绕所述电路元件；以及

将所述半导体器件电连接至所述电路元件，

其中在所述支持结构中形成所述空腔包括：在所述支持结构内形成第一开口；用填充材料来填充所述第一开口；以及在所述填充材料内形成第二开口，其中所述第二开口被形成为所述空腔，并且所述电路元件的至少一部分被布置于所述第二开口内，

其中，所述第二开口被形成为具有变化的剖面尺寸。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述电路元件用于基本上阻断由所述半导体器件或者另一半导体器件输出的直流。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述电路元件以使得所述电路元件的纵轴基本平行于至少部分定义所述空腔的表面的朝向布置在所述空腔中。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述电路元件以使得所述电路元件的纵轴在所述开口内是倾斜的并且不垂直于所述开口延伸至的所述支持结构的表面的朝向布置在所述空腔中。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述支持结构包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述空腔具有大于所述电路元件的剖面尺寸的剖面尺寸，并且所述空腔在所述支持结构内从所述第一表面延伸至所述支持结构内在所述空腔和所述第二表面之间定义的平台，所述平台被配置为支持所述电路元件。

6.如权利要求5所述的方法，还包括：

形成穿过所述平台延伸至所述第二表面的孔口。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述支持结构的至少一个外表面上形成至少一个内建层；以及

在所述内建层内形成暴露所述电路元件的传导终端的至少一部分的孔；

其中所述半导体器件到所述电路元件的电连接包括在所述内建层的至少一部分上形成传导材料层，该传导材料层在所述孔内延伸来接触所述电路元件的传导终端。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：

在所述支持结构的至少一个外表面上形成所述至少一个内建层之前，在所述支持结构的所述至少一个外表面的部分之上形成至少一个传导材料层，其中每个形成的传导材料层提供所述半导体器件的电路组件之间的电气路径。

9.如权利要求8所述的方法，其中在所述支持结构的所述至少一个外表面的部分之上形成的所述传导材料层还被形成于所述支持结构中的所述空腔的侧壁部分内。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述传导材料层提供用于未与所述电路元件连接的电路组件的电气路径。

11.如权利要求7所述的方法，还包括：

在所述支持结构内形成至少一个嵌入式传导材料层，该至少一个嵌入式传导材料层提供所述半导体器件的电路组件之间的电气路径。

12.如权利要求7所述的方法，其中多个内建层以竖直堆叠的方式形成于所述支持结构的外表面之上，并且还包括：

在至少第一内建层和所述第一内建层上竖直堆叠的第二内建层之间形成传导材料层，其中所形成的、第一和第二内建层之间的传导材料层提供所述半导体器件的电路组件之间的电气路径。

13.如权利要求7所述的方法，其中所述电路元件包括第一传导终端和第二传导终端，并且第一和第二传导终端中的至少一个从所述空腔中延伸从而被内建层至少部分地围绕。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述第二开口具有锥形的剖面轮廓。

15.如权利要求1所述的方法，其中在所述支持结构中形成所述空腔还包括：

用至少部分地围绕所述电路元件的第二填充材料来填充所述第二开口。

16.如权利要求1所述的方法，其中填充所述支持结构中的所述空腔包括：用非导电的环氧树脂来填充所述支持结构中的所述空腔。