[发明专利]MRAM场的干扰检测和恢复有效
| 申请号： | 201280034545.3 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103703447B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | T·安德鲁;S·M·阿拉姆;B·恩格尔;B·巴切尔 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G06F11/00 | 分类号： | G06F11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 宋岩 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种方法和存储器设备，用于从与多个存储器设备位相关联的多个参考位的ECC字中读取数据并且确定ECC字中是否存在双位错误。ECC字可首先被双态切换两次，然后一检测到双位错误就复位参考位。 | ||
| 搜索关键词： | mram 干扰 检测 恢复 | ||
【主权项】：
一种错误检测方法，包括：双态切换存储器设备的与纠错码ECC字相关联的数据位两次；从存储器设备读取与所述ECC字相关联的数据位；检测与所述ECC字的数据位相关联的双位错误；以及至少部分地基于检测到与所述ECC字的数据位相关联的双位错误，确定存储器设备已被篡改。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾沃思宾技术公司，未经艾沃思宾技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280034545.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种汽车飞轮的检具
- 下一篇：一种自动检测加药装置
