[发明专利]MRAM场的干扰检测和恢复

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年5月31日提交的美国临时申请No.61/491,761的权益。

技术领域

此处描述的示例性实施例一般地涉及存储器设备中的错误检测，特别涉及例如与磁阻随机存取存储器(MRAM)设备一起使用的参考位的错误检测。

背景技术

为了确定阵列内存储器位的状态，通常的做法是比较阵列位的状态和预设参考位的状态。例如，通过平均两个参考位的信号，其中一个处于高信号状态而另一个处于低信号状态，可以产生中点参考信号。

存储器设备在输出逻辑电路中通常包括某种形式的纠错码(ECC)。如果存储器位偏离其所希望状态被干扰，或者在其它情况下不能被正确读取，那么可以使用ECC来发现并且有可能校正存储器输出。在处理、封装和/或任意其他时间期间，参考位被干扰(即被改变为非正确状态)并不是罕见的。如果参考位偏离其原始状态被干扰，那么与参考位相比较的存储器位可能经历不常见的大量读取错误。

现有技术中的存储器系统无法从一个或更多个受干扰的参考位的当前状态有效地进行恢复。因此，大部分努力集中在使存储器设备更加鲁棒，即降低参考位干扰发生的几率。

外部场操纵MRAM数据的可能性是具有关键数据和/或安全数据的应用所关心的问题。对于这些应用中的许多应用，它们检测数据何时受到干扰是必要的；但是，数据是可恢复的不是必要的。第二个关心的问题是足够强的外部场将使MRAM永久性地无法实现功能。因高的外部域所致的两个常见的失败模式是包芯线干扰和参考位干扰，两者都导致残留的增大的失败率。希望在那些事件的任一者发生后恢复功能。

在ECC字中发生双位失败的概率足够低，以至于其是对于被访问的ECC字已经被篡改的很好的指示器。然而，监视单个字可能不够，这是因为将存在跨设备的宽范围的敏感性，并且在被监控的字仍然是正确的同时其他字可能累积双位失败。另外，已知的双位错误检测方案不被保证检测出超过两位的所有失败(但是，通常将检测出任何偶数位的失败)。当监视单个ECC字时，极端干扰状况所致的无法检测的多位失败可以是有可能的。通过监视某个范围内的ECC字，检测到首次篡改标记以及极端干扰的概率被增大。

因此，需要一种包括自愈性参考位方法的存储器设备(例如MRAM存储器设备)。此外，从结合附图以及前述的技术领域和背景技术给出的后续具体实施方式和权利要求中，示例性实施例的其他希望的特征和特性将变得清楚。

发明内容

提供一种用于包括自愈性参考位的存储器设备的方法和结构。

在一示例性实施例中，一种方法包括：双态切换(toggle)ECC字两次；读取ECC字；以及如果读取ECC字指示出双位错误，则指示已经发生篡改。

在另一示例性实施例中，一种方法包括：从多个参考位的ECC字中读取数据；以及确定ECC字中是否存在双位错误。

在再一示例性实施例中，一种阵列包括：多个阵列位；包括ECC字的多个参考位；以及检测模块，被配置为：从ECC字中读取数据，以及如果ECC字中指示出双位错误，则指示已经发生篡改。

附图说明

以下将结合附图介绍本发明，其中相同数字表示相同要素，并且

图1是示例性位阵列和相关联的参考位的概念图；

图2图示出具有受干扰的高参考位的图1中的位阵列；

图3图示出具有受干扰的低参考位的图1中的位阵列；

图4是流程图，示出根据一个实施例的存储器中的错误检测方法；

图5是流程图，示出根据另一个实施例的存储器中的错误检测方法；以及

图6是根据一个实施例的半导体存储器的概念框图。

具体实施方式

随后的详细描述本质上仅仅是说明性的，并且不希望限制实施例的主题或应用以及这样的实施例的用途。此处介绍的示例性实现方式不一定被解释为相比于其它实现方式是优选的或有利的。而且，并非意欲受到在在前技术领域、背景技术、发明内容或随后具体实施方式中所表达或暗示的理论限制。