[发明专利]MRAM场的干扰检测和恢复有效
| 申请号: | 201280034545.3 | 申请日: | 2012-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN103703447B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
| 发明(设计)人: | T·安德鲁;S·M·阿拉姆;B·恩格尔;B·巴切尔 | 申请(专利权)人: | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号: | G06F11/00 | 分类号: | G06F11/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 宋岩 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | mram 干扰 检测 恢复 | ||
1.一种方法,包括:
双态切换ECC字两次;
读取所述ECC字;以及
如果读取所述ECC字指示出双位错误,则指示已经发生篡改。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述ECC字与多个参考位相关联,该方法进一步包括:
一检测到双位错误就复位所述参考位。
3.如权利要求2所述的方法,进一步包括:
对于多个读操作中的每一个读操作,从所述多个参考位的所述ECC字中读取数据;以及
如果一个或更多个读操作识别出所述ECC字中的双位错误,则指示已经发生篡改。
4.如权利要求1所述的方法,其中双态切换包括双态切换多个ECC字,读取包括读取所述多个ECC字,并且指示包括如果读取所述多个ECC字指示出双位错误,则指示已经发生篡改。
5.如权利要求4所述的方法,进一步包括:
对于多个读操作中的每一个读操作,从多个参考位的所述多个ECC字中读取数据;以及
如果一个或更多个读操作识别出所述多个ECC字中的双位错误,则指示已经发生篡改。
6.如权利要求5所述的方法,进一步包括:
一检测到双位错误就复位所述参考位。
7.如权利要求5所述的方法,进一步包括:
对于多个写操作中的每一个写操作,执行读操作来验证数据是正确的;
如果读操作指示出双位错误,则重新写入数据至少一次;以及
如果两次或更多次重新写入之后错误发生,则指示已经发生篡改。
8.一种方法,包括:
从多个参考位的ECC字中读取数据;以及
确定所述ECC字中是否存在双位错误。
9.如权利要求8所述的方法,进一步包括双态切换多个ECC字,并且其中读取包括读取所述多个ECC字,并且确定包括如果读取所述多个ECC字指示出双位错误则指示已经发生篡改。
10.如权利要求8所述的方法,进一步包括:
一检测到双位错误就复位所述参考位。
11.如权利要求10所述的方法,进一步包括:
执行读操作来验证数据是正确的;
如果读操作指示出双位错误,则重新写入数据至少一次;以及
确定两次或更多次重新写入之后双位错误是否发生。
12.如权利要求8所述的方法,进一步包括:
最初双态切换所述ECC字两次。
13.如权利要求12所述的方法,进一步包括:
一检测到双位错误就复位所述参考位。
14.一种存储器设备,包括:
多个存储器设备位;
包括ECC字的多个参考位;以及
检测模块,配置为:
从所述ECC字中读取数据;以及
如果在所述ECC字中指示出双位错误,则指示已经发生篡改。
15.如权利要求14所述的存储器设备,其中检测模块被进一步配置为:
在从所述ECC字中读取数据之前,双态切换所述ECC字两次。
16.如权利要求15所述的存储器设备,其中检测模块被进一步配置为:
一检测到双位错误就复位所述参考位。
17.如权利要求14所述的存储器设备,其中检测模块被进一步配置为:
对于多个读操作中的每一个读操作,从所述ECC字中读取数据;以及
如果一个或更多个读操作识别出双位错误,则指示已经发生篡改。
18.如权利要求14所述的存储器设备,其中所述参考位包括多个ECC字,并且检测模块被进一步配置为:
对于多个读操作中的每一个读操作,从所述多个ECC字中读取数据;以及
如果多个读操作中的一个或更多个读操作识别出双位错误,则指示已经发生篡改。
19.如权利要求18所述的存储器设备,其中检测模块被进一步配置为:
一检测到双位错误就复位所述参考位。
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