[发明专利]MRAM场的干扰检测和恢复有效

专利信息
申请号: 201280034545.3 申请日: 2012-05-31
公开(公告)号: CN103703447B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: T·安德鲁;S·M·阿拉姆;B·恩格尔;B·巴切尔 申请(专利权)人: 艾沃思宾技术公司
主分类号: G06F11/00 分类号: G06F11/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 宋岩
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: mram 干扰 检测 恢复
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

双态切换ECC字两次;

读取所述ECC字;以及

如果读取所述ECC字指示出双位错误,则指示已经发生篡改。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述ECC字与多个参考位相关联,该方法进一步包括:

一检测到双位错误就复位所述参考位。

3.如权利要求2所述的方法,进一步包括:

对于多个读操作中的每一个读操作,从所述多个参考位的所述ECC字中读取数据;以及

如果一个或更多个读操作识别出所述ECC字中的双位错误,则指示已经发生篡改。

4.如权利要求1所述的方法,其中双态切换包括双态切换多个ECC字,读取包括读取所述多个ECC字,并且指示包括如果读取所述多个ECC字指示出双位错误,则指示已经发生篡改。

5.如权利要求4所述的方法,进一步包括:

对于多个读操作中的每一个读操作,从多个参考位的所述多个ECC字中读取数据;以及

如果一个或更多个读操作识别出所述多个ECC字中的双位错误,则指示已经发生篡改。

6.如权利要求5所述的方法,进一步包括:

一检测到双位错误就复位所述参考位。

7.如权利要求5所述的方法,进一步包括:

对于多个写操作中的每一个写操作,执行读操作来验证数据是正确的;

如果读操作指示出双位错误,则重新写入数据至少一次;以及

如果两次或更多次重新写入之后错误发生,则指示已经发生篡改。

8.一种方法,包括:

从多个参考位的ECC字中读取数据;以及

确定所述ECC字中是否存在双位错误。

9.如权利要求8所述的方法,进一步包括双态切换多个ECC字,并且其中读取包括读取所述多个ECC字,并且确定包括如果读取所述多个ECC字指示出双位错误则指示已经发生篡改。

10.如权利要求8所述的方法,进一步包括:

一检测到双位错误就复位所述参考位。

11.如权利要求10所述的方法,进一步包括:

执行读操作来验证数据是正确的;

如果读操作指示出双位错误,则重新写入数据至少一次;以及

确定两次或更多次重新写入之后双位错误是否发生。

12.如权利要求8所述的方法,进一步包括:

最初双态切换所述ECC字两次。

13.如权利要求12所述的方法,进一步包括:

一检测到双位错误就复位所述参考位。

14.一种存储器设备,包括:

多个存储器设备位;

包括ECC字的多个参考位;以及

检测模块,配置为:

从所述ECC字中读取数据;以及

如果在所述ECC字中指示出双位错误,则指示已经发生篡改。

15.如权利要求14所述的存储器设备,其中检测模块被进一步配置为:

在从所述ECC字中读取数据之前,双态切换所述ECC字两次。

16.如权利要求15所述的存储器设备,其中检测模块被进一步配置为:

一检测到双位错误就复位所述参考位。

17.如权利要求14所述的存储器设备,其中检测模块被进一步配置为:

对于多个读操作中的每一个读操作,从所述ECC字中读取数据;以及

如果一个或更多个读操作识别出双位错误,则指示已经发生篡改。

18.如权利要求14所述的存储器设备,其中所述参考位包括多个ECC字,并且检测模块被进一步配置为:

对于多个读操作中的每一个读操作,从所述多个ECC字中读取数据;以及

如果多个读操作中的一个或更多个读操作识别出双位错误,则指示已经发生篡改。

19.如权利要求18所述的存储器设备,其中检测模块被进一步配置为:

一检测到双位错误就复位所述参考位。

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