[发明专利]具有改善的产量的制造较高硅烷的方法有效
| 申请号： | 201280034284.5 | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN103648981A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | J.E.朗;H.劳莱德;E.米 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;C01G17/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;胡莉莉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造六氯乙硅烷或Ge2Cl6的一种方法，其特征在于，在含有SiCl4或GeCl4的气体中，a)借助频率为f的交流电压来生成非热等离子，并且其中在该等离子中耦合输入具有重复率为g的至少一个电磁脉冲，其电压分量具有在上升边缘中的10Vns-1至1kVns-1的边缘陡度和500ns至100µs的脉冲宽度b，其中获得一种液相，以及b)从该液相中获得纯的六氯乙硅烷或Ge2Cl6。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 产量 制造 硅烷 方法 | ||
【主权项】：
用于制造六氯乙硅烷或Ge2Cl6的方法，其特征在于，在含有SiCl4或GeCl4的气体中，a) 借助频率为f的交流电压来激励非热等离子，并且其中 在该等离子中耦合输入具有重复率为g的至少一个电磁脉冲， 该至少一个电磁脉冲的电压分量具有在上升边缘中的10V ns‑1至1kV ns‑1的边缘陡度和500ns至100µs的脉冲宽度b， 其中获得一种液相，以及b)从该液相中获得纯的六氯乙硅烷或Ge2Cl6。
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