[发明专利]具有改善的产量的制造较高硅烷的方法

权利要求书

1.用于制造六氯乙硅烷或Ge₂Cl₆的方法，

其特征在于，

在含有SiCl₄或GeCl₄的气体中，

a) 借助频率为f的交流电压来激励非热等离子，并且其中

      在该等离子中耦合输入具有重复率为g的至少一个电磁脉冲，

          该至少一个电磁脉冲的电压分量具有在上升边缘中的10V ns^-1至1kV ns^-1的边缘陡度和500ns至100μs的脉冲宽度b，

      其中获得一种液相，

以及

b)从该液相中获得纯的六氯乙硅烷或Ge₂Cl₆。

2.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，

该交流电压的频率f为1Hz至100MHz，

重复率g为50kHz至50MHz，以及

幅度为1至15kV_pp。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其特征在于，

向耦合输入到等离子中的电磁脉冲叠加具有相同重复率的至少一个其它电磁脉冲，并且这两个或至少两个脉冲相对具有1至1000之间的脉冲占空比。

4.根据前述权利要求之一所述的方法，

其特征在于，

至少一个电磁脉冲通过电流或电压驱动的脉冲前接设备而被耦合输入。

5.根据前述权利要求之一所述的方法，

其特征在于，

作为其中生成非热等离子的反应器采用臭氧发生器。

6.根据前述权利要求之一所述的方法，

其特征在于，

在步骤b)中所述液相被蒸馏后处理。

7.根据前述权利要求之一所述的方法，

其特征在于，

所述蒸馏后处理在常压、欠压或过压下来进行。

8.根据前述权利要求之一所述的方法，

其特征在于，

所述蒸馏后处理在50至1500mbar的压力下来进行。

9.根据前述权利要求之一所述的方法，

其特征在于，

所述方法步骤a)和/或b)连续地进行，并且对在步骤b)中所获得的相经历蒸馏后处理。

10.根据前述权利要求之一所述的方法，

其特征在于，

所述反应器设置有管状的介电材料。

11.根据前述权利要求之一所述的方法，

其特征在于，

在所述反应器中采用管，这些管通过由惰性材料构成的垫片来支撑并保持间距。

12.根据权利要求11所述的方法，

其特征在于，

采用由低k材料构成的垫片。

13.根据权利要求1-12之一所述的方法所获得的化合物作为用于沉积薄层的前体的应用。

14.根据权利要求13所述的应用，作为用于沉积薄的硅层、氧化硅层、氮化硅层、碳化硅层、SiOC层、SiON层、SiGe层或锗层的前体。