[发明专利]含硅薄膜的制造方法

摘要

本发明提供一种含硅薄膜的制造方法，其包括：基板的搬入工序（S101）、含硅薄膜的形成工序（S102）、基板的搬出工序（S103）、干洗工序（S104）、氟化物的还原工序（S105）、排气工序（S106）。在氟化物的还原工序（S105）中，将还原性气体供给到处理室内，直到排气工序（S106）完成时的处理室内的CF4气体的分压变为A×（2.0×10-4）Pa以下。

主权项

一种含硅薄膜的制造方法，其特征在于，包括：将基板搬入处理室内的第一工序（S101）；在所述处理室内在所述基板的表面上形成所述含硅薄膜的第二工序（S102）；将形成有所述含硅薄膜的基板从所述处理室内搬出的第三工序（S103）；使用含氟气体干洗所述处理室内的第四工序（S104）；将还原性气体供给到所述处理室内来还原存在于所述处理室内的氟化物的第五工序（S105）；排出该处理室内的气体直至所述处理室的达到真空度为A（Pa）的第六工序（S106）；在所述第五工序中，将所述还原性气体供给到所述处理室内，直到所述第六工序完成时的所述处理室内的CF4气体的分压变为A×（2.0×10‑4）Pa以下。