[发明专利]含硅薄膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种含硅薄膜的制造方法。

背景技术

作为用于薄膜太阳能电池等的硅膜的形成方法，通常使用化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition（以下，有称为“CVD”的情况））法。在采用CVD法使硅膜生长时，会在CVD装置的处理室（チャンバ）的内壁面上或者设置在处理室内的夹具（冶具）的表面上等附着某些杂质。由于该杂质的附着，异物混入在处理室内生长的膜中，其结果是，有时会导致在处理室内生长的膜中的晶格缺陷的增加等。

为了抑制这种不良情况的产生，例如在专利文献1（日本特开2002－60951号公报）中，公开了在使用NF₃等含氟气体干洗处理室内之后，利用氢等离子体除去处理室内的氟类残留物，并在此之后，将未被氢等离子体除去的处理室内的氟类残留物封装在硅膜的材料气体的等离子体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：（日本）特开2002－60951号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

干洗后残留在处理室内的氟类残留物的组成根据处理室的状态（例如设置在处理室内的部件的材质、加热器的温度、处理室的内壁温度）或者成膜历史等而发生变化。另外，氟类残留物与其他元素结合成氟化物而以多种形态存在，但是难以明确究竟应该着眼于哪种化合物。因此，为了除去氟类残留物，需要建立某种监测方法以确定应着眼的化合物。

本发明是鉴于以上问题而做出的，其目的在于提供一种含硅薄膜的制造方法，其在进行干洗之后到进行下次成膜（形成含硅薄膜）之间，能够降低处理室内的氟化物的量。

用于解决技术问题的方法

本发明的含硅薄膜的制造方法包括：将基板搬入处理室内的第一工序；在处理室内在基板的表面上形成含硅薄膜的第二工序；将形成有含硅薄膜的基板从处理室内搬出的第三工序；使用含氟气体干洗处理室内的第四工序；将还原性气体供给到处理室内来还原存在于处理室内的氟化物的第五工序；排出该处理室内的气体直至处理室的达到真空度变为A（Pa）的第六工序。在第五工序中，将还原性气体供给到处理室内，直到第六工序完成时的处理室内的CF₄气体的分压变为A×（2.0×10^-4）Pa以下。

优选的是，重复进行第一工序、第二工序、第三工序、第四工序、第五工序以及第六工序。

优选的是，在第一工序与第二工序之间也进行第五工序和第六工序。

优选的是，还原性气体包括SiH₄气体。

在还原性气体的供给时间为10秒以上1800秒以下的条件、还原性气体的流量在1000sccm（standard cc/min）以上100000sccm以下的条件、以及处理室的内压为300Pa以上5000Pa以下的条件中的至少一个条件下进行第五工序即可。

优选的是，还包括在第六工序之后，在处理室内进行氢等离子体处理的第七工序。

在氢等离子体处理的处理时间为1sec以上10000sec以下的条件、氢气的流量为10000sccm以上100000sccm以下的条件、处理室的内压为300Pa以上800Pa以下的条件、进行施加电力为0.03W/cm²以上0.1W/cm²以下且占空比为5%以上50%以下的脉冲放电的条件、以及加热基板的加热器的温度为20℃以上200℃以下的条件中的至少一个条件下，进行第七工序即可。在此，通过（RF开启的脉冲宽度）÷（周期）获得占空比。

优选的是，第二工序通过化学气相沉积法在基板的表面上形成含硅薄膜。

优选的是，在第五工序中，将还原性气体供给到处理室内，直到第六工序完成时的处理室内的CF₄气体的分压变为A×（2.5×10^-5）Pa以上。

本发明的光电转换装置的制造方法包括本发明的含硅薄膜的制造方法。

发明效果

在本发明的含硅薄膜的制造方法中，能够在进行了干洗之后到进行下一次成膜之间降低处理室内的氟化物量。

附图说明

图1是表示本发明的含硅薄膜的制造方法的一个例子的流程图。

图2是示意性地表示在实施例1～3中使用的CVD装置的剖视图。

图3是表示相对于SiH₄气体的供给时间的氟化物的分压的测定结果的曲线图。