[发明专利]含硅薄膜的制造方法无效
申请号: | 201280033941.4 | 申请日: | 2012-05-31 |
公开(公告)号: | CN103650169A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 东名敦志;奈须野善之 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/24;C23C16/44 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种含硅薄膜的制造方法,其特征在于,包括:
将基板搬入处理室内的第一工序(S101);
在所述处理室内在所述基板的表面上形成所述含硅薄膜的第二工序(S102);
将形成有所述含硅薄膜的基板从所述处理室内搬出的第三工序(S103);
使用含氟气体干洗所述处理室内的第四工序(S104);
将还原性气体供给到所述处理室内来还原存在于所述处理室内的氟化物的第五工序(S105);
排出该处理室内的气体直至所述处理室的达到真空度为A(Pa)的第六工序(S106);
在所述第五工序中,将所述还原性气体供给到所述处理室内,直到所述第六工序完成时的所述处理室内的CF4气体的分压变为A×(2.0×10-4)Pa以下。
2.如权利要求1所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,
重复进行所述第一工序(S101)、所述第二工序(S102)、所述第三工序(S103)、所述第四工序(S104)、所述第五工序(S105)以及所述第六工序(S106)。
3.如权利要求1或2所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,
在所述第一工序(S101)与所述第二工序(S102)之间也进行所述第五工序(S105)和所述第六工序(S106)。
4.如权利要求1至3中任一项所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,
所述还原性气体包括SiH4气体。
5.如权利要求1至4中任一项所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,
在所述还原性气体的供给时间为10秒以上1800秒以下的条件、所述还原性气体的流量在1000sccm以上100000sccm以下的条件、所述处理室的内压为300Pa以上5000Pa以下的条件中的至少一个条件下,进行所述第五工序(S105)。
6.如权利要求1至5中任一项所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,
还包括在所述第六工序(S106)之后,在所述处理室内进行氢等离子体处理的第七工序(S107)。
7.如权利要求6所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,在所述氢等离子体处理的处理时间为1sec以上10000sec以下的条件、氢气的流量为10000sccm以上100000sccm以下的条件、所述处理室的内压为300Pa以上800Pa以下的条件、进行施加电力为0.03W/cm2以上0.1W/cm2以下且占空比为5%以上50%以下的脉冲放电的条件、以及加热所述基板的加热器的温度为20℃以上200℃以下的条件中的至少一个条件下,进行所述第七工序(S107)。
8.如权利要求1至7中任一项所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,
所述第二工序(S102)通过化学气相沉积法将所述含硅薄膜形成在所述基板的表面上。
9.一种光电转换装置的制造方法,其特征在于,包括权利要求1~8中任一项所述的含硅薄膜的制造方法。
10.如权利要求9所述的光电转换装置的制造方法,其特征在于,
在所述第五工序中,将所述还原性气体供给到所述处理室内,直到所述第六工序完成时的所述处理室内的CF4气体的分压变为A×(2.5×10-5)Pa以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280033941.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的