[发明专利]含硅薄膜的制造方法无效

专利信息
申请号: 201280033941.4 申请日: 2012-05-31
公开(公告)号: CN103650169A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 东名敦志;奈须野善之 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C23C16/24;C23C16/44
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种含硅薄膜的制造方法,其特征在于,包括:

将基板搬入处理室内的第一工序(S101);

在所述处理室内在所述基板的表面上形成所述含硅薄膜的第二工序(S102);

将形成有所述含硅薄膜的基板从所述处理室内搬出的第三工序(S103);

使用含氟气体干洗所述处理室内的第四工序(S104);

将还原性气体供给到所述处理室内来还原存在于所述处理室内的氟化物的第五工序(S105);

排出该处理室内的气体直至所述处理室的达到真空度为A(Pa)的第六工序(S106);

在所述第五工序中,将所述还原性气体供给到所述处理室内,直到所述第六工序完成时的所述处理室内的CF4气体的分压变为A×(2.0×10-4)Pa以下。

2.如权利要求1所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,

重复进行所述第一工序(S101)、所述第二工序(S102)、所述第三工序(S103)、所述第四工序(S104)、所述第五工序(S105)以及所述第六工序(S106)。

3.如权利要求1或2所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,

在所述第一工序(S101)与所述第二工序(S102)之间也进行所述第五工序(S105)和所述第六工序(S106)。

4.如权利要求1至3中任一项所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,

所述还原性气体包括SiH4气体。

5.如权利要求1至4中任一项所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,

在所述还原性气体的供给时间为10秒以上1800秒以下的条件、所述还原性气体的流量在1000sccm以上100000sccm以下的条件、所述处理室的内压为300Pa以上5000Pa以下的条件中的至少一个条件下,进行所述第五工序(S105)。

6.如权利要求1至5中任一项所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,

还包括在所述第六工序(S106)之后,在所述处理室内进行氢等离子体处理的第七工序(S107)。

7.如权利要求6所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,在所述氢等离子体处理的处理时间为1sec以上10000sec以下的条件、氢气的流量为10000sccm以上100000sccm以下的条件、所述处理室的内压为300Pa以上800Pa以下的条件、进行施加电力为0.03W/cm2以上0.1W/cm2以下且占空比为5%以上50%以下的脉冲放电的条件、以及加热所述基板的加热器的温度为20℃以上200℃以下的条件中的至少一个条件下,进行所述第七工序(S107)。

8.如权利要求1至7中任一项所述的含硅薄膜的制造方法,其特征在于,

所述第二工序(S102)通过化学气相沉积法将所述含硅薄膜形成在所述基板的表面上。

9.一种光电转换装置的制造方法,其特征在于,包括权利要求1~8中任一项所述的含硅薄膜的制造方法。

10.如权利要求9所述的光电转换装置的制造方法,其特征在于,

在所述第五工序中,将所述还原性气体供给到所述处理室内,直到所述第六工序完成时的所述处理室内的CF4气体的分压变为A×(2.5×10-5)Pa以上。

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