[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201280030971.X | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103620762A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 坂本岳史 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 薛凯 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置具备：第1基材(1)，其具有第1面(19)；第2基材(2)，其具有与第1面(19)相邻的第2面(20)，线膨胀系数与第1基材(1)不同，与第1基材(1)相接；和第1布线(31)，其在第1面(19)上以及第2面(20)上跨第1基材(1)与第2基材(2)的边界线(28)而设。在边界线(28)上的第1布线(31)的截面积，大于第1布线(31)中的设于第1面(19)上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积、或第1布线(31)中的设于第2面(20)上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第1基材，其具有形成了电路的第1面；第2基材，其具有朝向与所述第1面相同的方向并与所述第1面相邻的第2面，线膨胀系数与所述第1基材不同，与所述第1基材相接；和第1布线，其在所述第1面上以及所述第2面上跨俯视观察下的所述第1基材与所述第2基材的第1边界线而设，与形成于所述第1面的电路连接，在所述第1边界线上的所述第1布线的截面积，大于所述第1布线中的设于所述第1面上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积、或所述第1布线中的设于所述第2面上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积。
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