[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201280030971.X 申请日: 2012-09-05
公开(公告)号: CN103620762A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 坂本岳史 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 薛凯
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具备:

第1基材,其具有形成了电路的第1面;

第2基材,其具有朝向与所述第1面相同的方向并与所述第1面相邻的第2面,线膨胀系数与所述第1基材不同,与所述第1基材相接;和

第1布线,其在所述第1面上以及所述第2面上跨俯视观察下的所述第1基材与所述第2基材的第1边界线而设,与形成于所述第1面的电路连接,

在所述第1边界线上的所述第1布线的截面积,大于所述第1布线中的设于所述第1面上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积、或所述第1布线中的设于所述第2面上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第1边界线上的所述第1布线的布线宽度,宽于所述第1面上的所述第1布线的至少一部分的布线宽度、以及所述第2面上的所述第1布线的至少一部分的布线宽度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

所述第1边界线上的所述第1布线的厚度,厚于所述第1面上的所述第1布线的至少一部分的厚度、以及所述第2面上的所述第1布线的至少一部分的厚度。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述第1布线中的跨所述第1边界线上的部分的延伸方向不与所述第1边界线正交。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述第1布线在所述第1边界线上分支为多条。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述第1基材是第1半导体芯片,

所述第2基材是从所述第1半导体芯片的侧面起设置到外方的扩展部件,

在所述第1面上以及所述第2面上设置绝缘保护膜,

所述第1布线设于所述绝缘保护膜上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,

在所述扩展部件的所述第2面侧形成凹部,

所述第1半导体芯片配置于所述凹部内。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置,其中,

所述半导体装置还具备:

基板,其具有在使所述第1面以及所述第2面朝上的状态下搭载所述第1半导体芯片以及所述扩展部件的上表面;

第2半导体芯片,其在使形成了电路的第3面与所述第1面对置的状态下,搭载于所述第1半导体芯片的所述第1面上;

第1连接部件,其设于所述第1半导体芯片与所述第2半导体芯片间,与形成于所述第1面上的电路电连接;和

密封树脂,其设于所述基板的上表面上,覆盖所述扩展部件的侧面以及所述第2面、所述第2半导体芯片的侧面以及与所述第3面对置的面。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,

所述半导体装置还具备:

第1电极,其设置在所述第1布线中的设于所述第2面上的部分上;

第2电极,其设于所述基板的上表面上;和

第2连接部件,其连接所述第1电极和所述第2电极,被所述密封树脂所覆盖。

10.根据权利要求6~9中任一项所述的半导体装置,其中,

所述扩展部件为密封树脂体、有机基板、陶瓷基板、或玻璃基板。

11.根据权利要求6~10中任一项所述的半导体装置,其中,

所述第1半导体芯片和所述扩展部件,形成在俯视观察下在与所述第1边界线不同的方向上延伸的第2边界线,

在所述第1面上以及所述第2面上,设置与形成于所述第1面的电路电连接且跨所述第2边界线的第2布线,

在所述第2边界线上的所述第2布线的截面积,大于所述第2布线中的设于所述第1面上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积、以及所述第2布线中的设于所述第2面上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积。

12.根据权利要求1~11中任一项所述的半导体装置,其中,

所述第1布线具有包含设于所述第1边界线上的部分的边界区域、和非边界区域,在所述第1边界线上的所述第1布线的截面积,大于所述第1面上的所述非边界区域的布线宽度方向截面的面积、以及所述第2面上的所述非边界区域的布线宽度方向截面的面积。

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