[发明专利]用于制作高密度集成电路器件的方法有效
| 申请号： | 201280030896.7 | 申请日： | 2012-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN103620739A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | V·莫洛兹;林锡伟 | 申请（专利权）人： | 美商新思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述一种具有多个线的集成电路器件，其中线的宽度和在相邻线之间的间距在与由于在制造器件中涉及到的光刻工艺或者其它图案化工艺所致的变化独立的小范围内变化。描述一种用于形成用于线的蚀刻掩模的连续侧壁间隔物形成工艺，这造成以交替方式布置的第一和第二组侧壁间隔物。由于这一连续侧壁间隔物工艺，线的宽度和在相邻线之间的间距跨多个线的变化依赖于侧壁间隔物的尺度变化。这些变化独立于在图案化工艺引起的中间掩模元件的尺寸变化，并且可以在该变化少得多的分布内被控制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 高密度 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造品，包括：机器可读数据存储介质，存储用于集成电路的设计条目，所述设计条目包括：布图，包括将在制作集成电路器件期间在材料层中形成的多个线；以及将在制作所述多个线期间覆盖在所述材料层上面形成的掩模层，所述掩模层指定中间掩模元件，所述中间掩模元件具有用于制作全部所述多个线的单个边缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美商新思科技有限公司，未经美商新思科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280030896.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
