[发明专利]用于制作高密度集成电路器件的方法

权利要求书

1.一种制造品，包括：

机器可读数据存储介质，存储用于集成电路的设计条目，所述设计条目包括：

布图，包括将在制作集成电路器件期间在材料层中形成的多个线；以及

将在制作所述多个线期间覆盖在所述材料层上面形成的掩模层，所述掩模层指定中间掩模元件，所述中间掩模元件具有用于制作全部所述多个线的单个边缘。

2.根据权利要求1所述的制造品，其中所述多个线中的线具有基本上一致的形状。

3.根据权利要求1所述的制造品，其中所述多个线中的相邻线在与所述掩模元件的所述单个边缘正交的方向上相互分离。

4.根据权利要求1所述的制造品，其中所述掩模层的所述单个边缘与所述多个线中的特定线的边缘对准。

5.根据权利要求1所述的制造品，其中所述掩模层的所述单个边缘具有表示全部所述多个线的形状的轮廓。

6.根据权利要求1所述的制造品，其中所述掩模层的所述单个边缘具有表示所述多个线中的每个线的形状的轮廓。

7.根据权利要求1所述的制造品，其中：

所述物理布图还包括所述材料层中的第二多个线；并且

所述掩模层具有用于制作全部所述第二多个线的第二单个边缘。

8.一种用于制造集成电路器件的方法，所述方法包括：

提供材料层；

在所述材料层上形成第一组侧壁间隔物和第二组侧壁间隔物，所述第一组侧壁间隔物和所述第二组侧壁间隔物是以交替方式布置的，使得所述第一组中的相邻侧壁间隔物被所述第二组中的单个侧壁间隔物分离，并且所述第二组中的相邻侧壁间隔物被所述第一组中的单个侧壁间隔物分离；并且

处理所述第一组侧壁间隔物和所述第二组侧壁间隔物以在所述第一组侧壁间隔物限定的位置处形成多个线。

9.根据权利要求8所述的方法，其中处理所述第一组侧壁间隔物和所述第二组侧壁间隔物包括使用所述第一组侧壁间隔物作为蚀刻掩模来蚀刻所述材料层，由此在所述第二组侧壁间隔物限定的位置处在所述材料层中形成多个沟槽以在所述材料层中形成所述多个线，所述多个线中的相邻线被所述多个沟槽中的对应沟槽分离。

10.根据权利要求8所述的方法，其中处理所述第一组侧壁间隔物和所述第二组侧壁间隔物包括：

选择性地去除所述第一组侧壁间隔物以暴露所述材料层的顶表面并且在所述第二组侧壁间隔物中的相邻侧壁间隔物之间留下开口；并且

在所述开口内形成第二材料层以在所述材料层的所述顶表面上形成所述多个线。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述第二材料层包括执行外延工艺。

12.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述第一组侧壁间隔物和所述第二组侧壁间隔物包括：

在所述材料层上形成中间掩模元件，所述中间掩模元件具有侧壁表面；

在所述中间元件的所述侧壁表面上形成所述第一组的第一侧壁间隔物，所述第一组的所述第一侧壁间隔物具有相对的第一侧壁表面和第二侧壁表面；

去除所述中间元件；并且

在所述第一组的所述第一侧壁间隔物的相应的所述第一侧壁表面和所述第二侧壁表面上形成所述第二组的第一侧壁间隔物和第二侧壁间隔物。

13.根据权利要求12所述的方法，其中使用光刻工艺来形成所述中间掩模元件。

14.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述第一组侧壁间隔物和所述第二组侧壁间隔物还包括：

在所述第二组的所述第一侧壁间隔物的侧表面上形成所述第一组的第二侧壁间隔物；并且

在所述第二组的所述第二侧壁间隔物的侧表面上形成所述第一组的第三侧壁间隔物。

15.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述材料层上形成第三组侧壁间隔物和第四组侧壁间隔物，所述第三组侧壁间隔物和所述第四组侧壁间隔物是以交替方式布置的，使得所述第三组中的相邻侧壁间隔物被所述第四组中的单个侧壁间隔物分离，并且所述第四组中的相邻侧壁间隔物被所述第三组中的单个侧壁间隔物分离，并且其中所述处理还包括处理所述第三组侧壁间隔物和所述第四组侧壁间隔物以在所述第三组侧壁间隔物限定的位置处形成第二多个线。