[发明专利]层叠膜及电子器件有效
| 申请号： | 201280030205.3 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103608485A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 长谷川彰 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/42 | 分类号： | C23C16/42;B32B9/00;C23C16/50;G02B1/10;H01L31/042;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种层叠膜，其是具备基材和形成于所述基材的至少一个表面上的至少一层的薄膜层的层叠膜，所述薄膜层当中的至少一层含有硅、氧及氢，基于所述薄膜层的在29Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值相对于Q4的峰面积的比满足下述条件式（I）：（Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值）/（Q4的峰面积）＜1.0…（I）Q1：与一个中性氧原子及三个羟基键合的硅原子，Q2：与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q3：与三个中性氧原子及一个羟基键合的硅原子，Q4：与4个中性氧原子键合的硅原子。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 电子器件 | ||
【主权项】：
一种层叠膜，其具备基材和形成于所述基材的至少一个表面上的至少1层的薄膜层，所述薄膜层中的至少1层含有硅、氧及氢，基于所述薄膜层的在29Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值相对于Q4的峰面积的比满足下述条件式（I）：Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值/Q4的峰面积＜1.0…（I）Q1表示与1个中性氧原子及3个羟基键合的硅原子，Q2表示与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q3表示与3个中性氧原子及1个羟基键合的硅原子，Q4表示与4个中性氧原子键合的硅原子。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
