[发明专利]层叠膜及电子器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有气体屏蔽性的层叠膜。另外，还涉及具有此种层叠膜的电子器件。本申请主张基于2011年6月21日在日本申请的日本特愿2011－137397号的优先权，在这里援引其内容。

背景技术

气体屏蔽性薄膜可以作为适于饮料食品、化妆品、洗涤剂之类的物品的填充包装的包装用容器合适地使用。近年来，提出过如下的气体屏蔽性薄膜，即，以塑料膜等作为基材，在基材的一个表面形成以氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝之类的物质作为形成材料的薄膜而成。

作为在塑料基材的表面上形成此种薄膜的方法，已知有真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理气相沉积法（PVD）、减压化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法等化学气相沉积法（CVD）。另外，作为利用此种成膜方法形成的层叠膜，例如，在专利文献1中，公开过通过在塑料基材的表面上设置硅氧化物系的薄膜而得的层叠膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010－260347号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，上述的专利文献1中记载的层叠膜虽然弯曲性优异，然而要求进一步提高气体屏蔽性。

本发明是鉴于此种情况而完成的，其目的在于，提供一种具有高的气体屏蔽性的层叠膜。

用于解决问题的方法

但是，气体屏蔽性可以作为水蒸气透过度（也称作水蒸气透过率）来评价。水蒸气透过度是这样的指标，即，其值越低，则气体屏蔽性越好。

本发明具有以下的方式。

本发明的第一方式提供一种层叠膜，其是具备基材、和形成于所述基材的至少一个表面上的至少1层的薄膜层的层叠膜，所述薄膜层当中的至少1层含有硅、氧及氢，基于所述薄膜层的在²⁹Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值相对于Q⁴的峰面积的比满足下述条件式（I）。

（Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值）/（Q⁴的峰面积）＜1.0…（I）

（Q¹表示与1个中性氧原子及3个羟基键合的硅原子，Q²表示与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q³表示与3个中性氧原子及1个羟基键合的硅原子，Q⁴表示与4个中性氧原子键合的硅原子）

本发明的第二方式提供如下的所述第一方式中记载的层叠膜，其中，所述薄膜层还含有碳原子。

本发明的第三方式提供如下的所述第一或第二方式中记载的层叠膜，其中，所述薄膜层是利用等离子体化学气相沉积法形成的层。

本发明的第四方式提供如下的所述第三方式中记载的层叠膜，其中，所述等离子体化学气相沉积法中所用的成膜气体含有有机硅化合物和氧。

本发明的第五方式提供如下的所述第四方式中记载的层叠膜，其中，所述薄膜层是在将所述成膜气体中的所述氧的含量设为将所述成膜气体中的所述有机硅化合物的全部量完全氧化所必需的理论氧量以下的条件下成膜的层。

本发明的第六方式提供如下的所述第三～第五的任一方式中记载的层叠膜，其中，所述薄膜层是使用作为所述薄膜层的形成材料的成膜气体的放电等离子体形成的层，所述放电等离子体是通过对第一成膜辊与第二成膜辊之间施加交流电压而在所述第一成膜辊与所述第二成膜辊之间的空间中产生的，所述第一成膜辊是卷绕所述基材的辊，所述第二成膜辊与所述第一成膜辊相面对，相对于所述第一成膜辊在所述基材的搬送路径的下游卷绕所述基材。

本发明的第七方式提供如下的所述第六方式中记载的层叠膜，其中，所述薄膜层是如下形成的层，即，通过在所述第一成膜辊与所述第二成膜辊相面对的空间中，形成无终端的隧道状的磁场，以沿着所述隧道状的磁场形成的第一放电等离子体与形成于所述隧道状的磁场的周围的第二放电等离子体重叠的方式搬送所述基材而形成。

本发明的第八方式提供如下的所述第一～第七的任一方式中记载的层叠膜，其中，所述基材呈带状，所述薄膜层是在将所述基材沿长度方向搬送的同时在所述基材的表面连续地形成的层。

本发明的第九方式提供如下的所述第一～第八的任一方式中记载的层叠膜，其中，所述基材使用了选自聚酯系树脂及聚烯烃系树脂中的至少一种树脂。