[发明专利]层叠膜及电子器件

权利要求书

1.一种层叠膜，其具备基材和形成于所述基材的至少一个表面上的至少1层的薄膜层，

所述薄膜层中的至少1层含有硅、氧及氢，

基于所述薄膜层的在²⁹Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值相对于Q⁴的峰面积的比满足下述条件式（I）：

Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值/Q⁴的峰面积＜1.0…（I）

Q¹表示与1个中性氧原子及3个羟基键合的硅原子，Q²表示与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q³表示与3个中性氧原子及1个羟基键合的硅原子，Q⁴表示与4个中性氧原子键合的硅原子。

2.根据权利要求1所述的层叠膜，其中，

所述薄膜层还含有碳。

3.根据权利要求1或2所述的层叠膜，其中，

所述薄膜层是利用等离子体化学气相沉积法形成的层。

4.根据权利要求3所述的层叠膜，其中，

所述等离子体化学气相沉积法中所用的成膜气体含有有机硅化合物和氧。

5.根据权利要求4所述的层叠膜，其中，

所述薄膜层是在将所述成膜气体中的所述氧的含量设为将所述成膜气体中的所述有机硅化合物的全部量完全氧化所必需的理论氧量以下的条件下成膜的层。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的层叠膜，其中，

所述薄膜层是使用作为所述薄膜层的形成材料的成膜气体的放电等离子体形成的层，所述放电等离子体是通过对第一成膜辊与第二成膜辊之间施加交流电压而在所述第一成膜辊与所述第二成膜辊之间的空间中产生的，所述第一成膜辊是卷绕所述基材的辊，所述第二成膜辊与所述第一成膜辊相面对，相对于所述第一成膜辊在所述基材的搬送路径的下游卷绕所述基材。

7.根据权利要求6所述的层叠膜，其中，

所述薄膜层是如下形成的层，即，通过在所述第一成膜辊与所述第二成膜辊相面对的空间中，形成无终端的隧道状的磁场，以沿着所述隧道状的磁场形成的第一放电等离子体与形成于所述隧道状的磁场的周围的第二放电等离子体重叠的方式搬送所述基材而形成。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的层叠膜，其中，

所述基材呈带状，

所述薄膜层是在将所述基材沿长度方向搬送的同时在所述基材的表面连续地形成的层。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的层叠膜，其中，

所述基材使用了选自聚酯系树脂及聚烯烃系树脂中的至少一种树脂。

10.根据权利要求9所述的层叠膜，其中，

所述聚酯系树脂是聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的层叠膜，其中，

所述薄膜层的厚度为5nm以上且3000nm以下。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的层叠膜，其中，

在硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，满足所有下述条件（i）～（iii），所述硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线分别表示所述薄膜层的厚度方向的从该层的表面算起的距离、与相对于硅原子、氧原子及碳原子的合计量而言的硅原子的量的比率即硅的原子比、氧原子的量的比率即氧的原子比、及碳原子的量的比率即碳的原子比之间的关系，

（i）硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在该层的厚度的90％以上的区域中满足由下述式（1）：

氧的原子比＞硅的原子比＞碳的原子比···（1）

表示的条件，或者硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在该层的厚度的90％以上的区域中满足由下述式（2）：

碳的原子比＞硅的原子比＞氧的原子比···（2）

表示的条件；

（ii）所述碳分布曲线具有至少1个极值；

（iii）所述碳分布曲线中的碳的原子比的最大值与最小值的差的绝对值为5原子％以上。