[发明专利]高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶及以高纯度镧为主要成分的金属栅极膜无效
| 申请号： | 201280021193.8 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103502511A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 高畑雅博;佐藤和幸;乡原毅;成田里安 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C25C3/34 | 分类号： | C25C3/34;C22B9/22;C22C28/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，α射线计数为0.001cph/cm2以下。一种高纯度镧的制造方法，其特征在于，将除气体成分以外的纯度为4N以下的粗镧金属的原料在450～700℃的浴温下进行熔盐电解而得到镧结晶，接着，将该镧结晶进行脱盐处理后进行电子束熔炼而将挥发性物质除去，使除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上且使α射线计数为0.001cph/cm2以下。本发明的课题在于提供能够有效且稳定地提供低α射线的高纯度镧、包含高纯度材料镧的溅射靶及以高纯度材料镧为主要成分的金属栅极用薄膜的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 制造 方法 包含 溅射 主要成分 金属 栅极 | ||
【主权项】：
一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，α射线计数为0.001cph/cm2以下。
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