[发明专利]高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶及以高纯度镧为主要成分的金属栅极膜

权利要求书

1.一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，α射线计数为0.001cph/cm²以下。

2.如权利要求1所述的高纯度镧，其特征在于，Pb的含量为0.1重量ppm以下，Bi的含量为0.01重量ppm以下，Th的含量为0.001重量ppm以下，U的含量为0.001重量ppm以下。

3.如权利要求1或2所述的高纯度镧，其特征在于，Al、Fe、Cu分别为1重量ppm以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的高纯度镧，其特征在于，W、Mo、Ta的总量为10重量ppm以下。

5.一种溅射靶，其包含权利要求1～4所述的高纯度镧。

6.一种金属栅极膜，其使用权利要求5的溅射靶进行成膜而得到。

7.一种半导体元件和器件，其具备权利要求6所述的金属栅极膜。

8.一种高纯度镧的制造方法，其特征在于，将除气体成分以外的纯度为4N以下的粗镧金属的原料在450～700℃的浴温下进行熔盐电解而得到镧结晶，接着，将该镧结晶进行脱盐处理后进行电子束熔炼而将挥发性物质除去，使除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上且使α射线计数为0.001cph/cm²以下。

9.如权利要求8所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，作为熔盐电解浴，使用包含氯化钾(KCl)、氯化锂(LiCl)、氯化钠(NaCl)、氯化镁(MgCl₂)、氯化钙(CaCl₂)、氯化镧(LaCl₃)的电解浴。

10.如权利要求8或9所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，使用Ta制的阳极进行熔盐电解。

11.如权利要求8～10中任一项所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，使用加热炉在850℃以下的温度下进行真空加热，利用蒸气压差将金属物质与盐分离，由此进行脱盐处理。