[发明专利]用于减轻半导体管芯中应力的布线层有效
申请号: | 201280019784.1 | 申请日: | 2012-04-23 |
公开(公告)号: | CN103563067B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 罗登·托帕奇奥;加布里埃尔·翁 | 申请(专利权)人: | ATI科技无限责任公司 |
主分类号: | H01L21/71 | 分类号: | H01L21/71;H01L23/488 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开一种用于半导体管芯的布线层。所述布线层包括把集成电路接合焊盘与UBM互连的迹线。所述布线层在介电材料层上形成。所述布线层包括设置在所述UBM下以吸收来自附接到所述UMB的焊料凸块的应力的导电迹线。所述UBM下的迹线保护靠近所述焊料凸块的所述下面的介电材料的部分免受所述应力影响。 | ||
搜索关键词: | 用于 减轻 半导体 管芯 应力 布线 | ||
【主权项】:
一种用在半导体管芯中的布线层,所述半导体管芯具有用于附接焊料凸块的多个凸块下金属化,所述布线层包括:i)把所述凸块下金属化中的对应的凸块下金属化与在管芯上形成的集成电路的多个输入/输出(I/O)焊盘互连的多个导电迹线,所述凸块下金属化中的每个所述对应的凸块下金属化直接从所述导电迹线中的一个导电迹线延伸,所述导电迹线中的所述一个导电迹线进一步延伸超出所述凸块下金属化中的所述对应的凸块下金属化并延伸到用于至少一个其他的相关凸块下金属化的各自的接触点用于在它们之间实现电通信;至少一个其他的导电迹线通过所述凸块下金属化中的一个凸块下金属化下面而不接触所述凸块下金属化中的所述一个凸块下金属化,所述至少一个其他的导电迹线配置成用以机械增强靠近所述凸块下金属化中的所述一个凸块下金属化的所述布线层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造