[发明专利]用于减轻半导体管芯中应力的布线层

权利要求书

1.一种用在半导体管芯中的布线层，所述半导体管芯具有用于附接焊料凸块的多个凸块下金属化，所述布线层包括：

i)把所述凸块下金属化中的对应的凸块下金属化与在管芯上形成的集成电路的多个输入/输出(I/O)焊盘互连的多个导电迹线，所述凸块下金属化中的每个所述对应的凸块下金属化直接从所述导电迹线中的一个导电迹线延伸，所述导电迹线中的所述一个导电迹线进一步延伸超出所述凸块下金属化中的所述对应的凸块下金属化并延伸到用于至少一个其他的相关凸块下金属化的各自的接触点用于在它们之间实现电通信；

至少一个其他的导电迹线通过所述凸块下金属化中的一个凸块下金属化下面而不接触所述凸块下金属化中的所述一个凸块下金属化，所述至少一个其他的导电迹线配置成用以机械增强靠近所述凸块下金属化中的所述一个凸块下金属化的所述布线层。

2.如权利要求1所述的布线层，其中所述多个导电迹线中的每个包括以下至少一个：铜、铝、金、铅、锡、银、铋、锑、锌、镍、锆、镁、铟、碲和镓。

3.如权利要求1所述的布线层，还包括介电层，其中所述多个导电迹线在所述介电层上形成。

4.如权利要求1所述的布线层，其还包括多个导电迹线层，所述导电迹线层中的每个由至少一个介电层与所述多个导电迹线层中的另一导电迹线层隔开。

5.如权利要求1所述的布线层，其中，焊料凸块形成在所述凸块下金属化顶部。

6.如权利要求1所述的布线层，其中，所述导电迹线中的至少一些包括功率迹线、接地迹线和信号迹线中的一个。

7.一种制造半导体管芯以使管芯具有与多个输入/输出(I/O)焊盘互连的集成电路(IC)的方法，所述方法包括：

i)在介电层上形成多个导电迹线，所述迹线把多个凸块下金属化中的对应的凸块下金属化与所述I/O焊盘互连，所述凸块下金属化中的每个所述对应的凸块下金属化直接从所述导电迹线中的一个导电迹线延伸，所述导电迹线中的所述一个导电迹线进一步延伸超出所述凸块下金属化中的所述对应的凸块下金属化并延伸到用于至少一个其他的相关凸块下金属化的各自的接触点用于在它们之间实现电通信；至少一个其他的导电迹线通过所述凸块下金属化中的一个凸块下金属化下面而不接触所述凸块下金属化中的所述一个凸块下金属化，用以增强靠近所述凸块下金属化中的所述一个凸块下金属化的所述介电层；和

ii)把多个焊料凸块附接到所述凸块下金属化。

8.如权利要求7所述的方法，还包括在所述介电层上形成钝化层。

9.一种半导体管芯，包括：

i)在一片半导体晶片的一个表面上形成的集成电路；

ii)与所述集成电路互连的多个输入/输出(I/O)焊盘；

iii)布线层，其包括：在所述一个表面上形成的介电层；和在所述介电层上形成的多个导电迹线，所述导电迹线中的每个把多个凸块下金属化中的对应的凸块下金属化与所述输入/输出(I/O)焊盘互连，所述凸块下金属化中的每个所述对应的凸块下金属化直接从所述导电迹线中的一个导电迹线延伸，所述导电迹线中的所述一个导电迹线进一步延伸超出所述凸块下金属化中的所述对应的凸块下金属化并延伸到用于至少一个其他的相关凸块下金属化的各自的接触点用于在它们之间实现电通信；

其中，至少一个其他的导电迹线通过所述凸块下金属化中的一个凸块下金属化的顶面下面，并且在几何结构上设置成机械增强靠近所述凸块下金属化中的所述一个凸块下金属化的所述布线层。

10.如权利要求9所述的半导体管芯，其中，所述凸块下金属化中的所述一个凸块下金属化的顶面进一步附接多个焊料凸块中的各自一个焊料凸块，所述焊料凸块中的每个用于把所述集成电路与基板电互连。