[发明专利]陶瓷生坯片制造工序用剥离膜无效
| 申请号： | 201280019356.9 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103476557A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 深谷知巳;佐藤庆一 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B28B1/30 | 分类号： | B28B1/30;B32B27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为陶瓷生坯片制造工序用的剥离膜(1)，其具有基材(11)；层叠于基材(11)的第1表面上，含有导电性高分子，厚度为30nm～290nm的树脂层(12)；及层叠于树脂层(12)上的剥离剂层(13)；在剥离剂层(13)的表面的最大凸起高度(Rp)为10nm～100nm，优选在基材(11)的第2表面的算术平均粗度(Ra)为5nm～50nm，最大凸起高度(Rp)为40nm～300nm。根据所述剥离膜(1)，可得到剥离剂层(13)的高平滑性，而且可有效地抑制静电，同时可抑制剥离剂层(13)的脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 生坯 制造 工序 剥离 | ||
【主权项】：
陶瓷生坯片制造工序用的剥离膜，其特征在于具有：基材；层叠于所述基材的第1表面上，含有导电性高分子，厚度为30nm～290nm的树脂层；及层叠于所述树脂层上的剥离剂层；在所述剥离剂层的表面的最大凸起高度(Rp)为10nm～100nm。
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