[发明专利]功率开关的晶片测试方法

摘要

本发明涉及功率开关的晶片测试方法，能简单与实际工作状态同样地测定主IGBT流过的主电流与电流检测用IGBT流过的检测电流的电流比。主IGBT（1）和检测主IGBT（1）的电流值的电流检测用IGBT（2）在同一个半导体衬底上集成形成的功率开关的晶片测试方法中，设置使电流检测用IGBT的发射极电流流过主IGBT的发射极端子（6）的电阻单元，使主IGBT和电流检测用IGBT同时导通并对主IGBT和电流检测用IGBT的共用集电极端子施加恒定电流，根据由电阻单元的两端电压求出的电流检测用IGBT中流过的电流和恒定电流，计算主IGBT的主电流与电流检测用IGBT的检测电流的电流比（主电流/检测电流）。

主权项

一种功率开关的晶片测试方法，该功率开关具有主IGBT和检测所述主IGBT的电流值的电流检测用IGBT，所述电流检测用IGBT的集电极端子和栅极端子分别与所述主IGBT的集电极端子和栅极端子连接，所述主IGBT和所述电流检测用IGBT集成形成于同一个半导体衬底上，其特征在于：设置使所述电流检测用IGBT的发射极电流流过所述主IGBT的发射极端子的电阻单元，使所述主IGBT和所述电流检测用IGBT同时导通并对所述主IGBT和所述电流检测用IGBT的共用集电极端子施加恒定电流，根据由所述电阻单元的两端电压求出的所述电流检测用IGBT中流过的电流和所述恒定电流，计算所述主IGBT的主电流与所述电流检测用IGBT的检测电流的电流比。