[发明专利]功率开关的晶片测试方法有效
| 申请号： | 201280017290.X | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103460367B | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 佐藤茂树 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 开关 晶片 测试 方法 | ||
1.一种功率开关的晶片测试方法，该功率开关具有主IGBT和检 测所述主IGBT的电流值的电流检测用IGBT，所述电流检测用IGBT 的集电极端子和栅极端子分别与所述主IGBT的集电极端子和栅极端 子连接，所述主IGBT和所述电流检测用IGBT集成形成于同一个半导 体衬底上，其特征在于：
设置使所述电流检测用IGBT的发射极电流流过所述主IGBT的发 射极端子的电阻单元，
使所述主IGBT和所述电流检测用IGBT同时导通并对所述主 IGBT和所述电流检测用IGBT的共用集电极端子施加恒定电流，
根据由所述电阻单元的两端电压求出的所述电流检测用IGBT中 流过的电流和所述恒定电流，计算所述主IGBT的主电流与所述电流检 测用IGBT的检测电流的电流比。
2.如权利要求1所述的功率开关的晶片测试方法，其特征在于：
将所述电阻单元连接在与所述主IGBT的发射极端子和所述电流 检测用IGBT的发射极端子对应的晶片测试用探针卡的端子间。
3.一种功率开关的晶片测试方法，该功率开关具有主IGBT和检 测所述主IGBT的电流值的电流检测用IGBT，所述电流检测用IGBT 的集电极端子和栅极端子分别与所述主IGBT的集电极端子和栅极端 子连接，所述主IGBT和所述电流检测用IGBT集成形成于同一个半导 体衬底上，其特征在于：
设置使所述电流检测用IGBT的发射极电流流过所述主IGBT的发 射极端子的电阻单元，
使所述主IGBT和所述电流检测用IGBT同时导通，
检测从所述主IGBT的发射极端子流出的所述主IGBT的主电流与 所述电流检测用IGBT的检测电流的合计电流，并且根据所述电阻单元 的两端电压检测所述电流检测用IGBT的检测电流，计算所述主IGBT 的主电流与所述电流检测用IGBT的检测电流的电流比。
4.如权利要求3所述的功率开关的晶片测试方法，其特征在于：
将所述电阻单元连接在与所述主IGBT的发射极端子和所述电流 检测用IGBT的发射极端子对应的晶片测试用探针卡的端子间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
