[发明专利]半导体层叠体及其制造方法以及半导体元件无效
| 申请号： | 201280016886.8 | 申请日： | 2012-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103503148A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 佐藤慎九郎;仓又朗人;森岛嘉克;饭塚和幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;株式会社光波 |
| 主分类号： | H01L29/26 | 分类号： | H01L29/26;C23C16/34;H01L21/205;H01L21/331;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/12;H01L29/267;H01L29/47;H01L29/737;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/8 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种厚度方向的电阻低的半导体层叠体及其制造方法、以及包括该半导体层叠体的半导体元件。本发明提供包括将氧被六角网格状配置的面设为主面的Ga2O3基板（2）、Ga2O3基板（2）上的AlN缓冲层（3）、以及AlN缓冲层（3）上的氮化物半导体层（4）的半导体层叠体（1）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 层叠 及其 制造 方法 以及 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体层叠体，其中，包括：将六角网格状配置有氧的面设为主面的Ga2O3基板；所述Ga2O3基板上的AlN缓冲层；以及所述AlN缓冲层上的氮化物半导体层。
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