[发明专利]半导体层叠体及其制造方法以及半导体元件

权利要求书

1.一种半导体层叠体，其中，包括：

将六角网格状配置有氧的面设为主面的Ga₂O₃基板；

所述Ga₂O₃基板上的AlN缓冲层；以及

所述AlN缓冲层上的氮化物半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体层叠体，其中，

所述Ga₂O₃基板的所述主面是（101）、（-201）、（301）、（3-10）中的任意一种面。

3.根据权利要求2所述的半导体层叠体，其中，

所述Ga₂O₃基板的所述主面是（101）。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体层叠体，其中，

所述AlN缓冲层的厚度为1nm以上5nm以下。

5.根据权利要求4所述的半导体层叠体，其中，

所述AlN缓冲层的厚度为2nm以上3nm以下。

6.根据权利要求1所述的半导体层叠体，其中，

所述氮化物半导体层是GaN层。

7.根据权利要求1所述的半导体层叠体，其中，

厚度方向的电压降为0.6V以下。

8.根据权利要求1所述的半导体层叠体，其中，

所述氮化物半导体层在所述AlN缓冲层侧的部分区域具有Si浓度为5×10¹⁸/cm³以上的Si高浓度区域。

9.根据权利要求8所述的半导体层叠体，其中，

所述Si高浓度区域的厚度为2nm以上。

10.一种半导体元件，其中，包括半导体层叠体，

该半导体层叠体包括：

将六角网格状配置有氧的面设为主面的Ga₂O₃基板；

所述Ga₂O₃基板上的AlN缓冲层；以及

所述AlN缓冲层上的氮化物半导体层，

其中，向所述半导体层叠体的厚度方向通电。

11.一种半导体层叠体的制造方法，其中，包括：

在将六角网格状配置有氧的面设为主面的Ga₂O₃基板上，在500℃以下的温度条件下使AlN结晶外延生长，从而形成AlN缓冲层的工序；

在所述AlN缓冲层上使氮化物半导体结晶生长，从而形成氮化物半导体层的工序。

12.根据权利要求11所述的半导体层叠体的制造方法，其中，

所述AlN缓冲层形成为1nm以上5nm以下的厚度。

13.根据权利要求11或12所述的半导体层叠体的制造方法，其中，

所述氮化物半导体结晶是GaN结晶。