[发明专利]半导体存储装置及其控制方法有效
申请号: | 201280011665.1 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN103403805A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 泷泽亮介 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;G11C11/407 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘薇;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据本实施方式的存储器具备存储数据的存储单元阵列和向存储单元写入数据的写驱动器。写驱动器按照与写入数据一起输入的写入掩码数据,执行数据的写入或者不执行写入。多路复用器选择性地输出写入掩码数据中固定为禁止写入数据的写入的命令的写入禁止信号和写入掩码数据的任意之一。写保护控制器在写入禁止区域的地址与写入数据的地址一致时,输出写入禁止信号,在写入禁止区域的地址与写入数据的地址不一致时,直接输出写入掩码数据。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体存储装置,包括:存储单元阵列,其包括存储数据的多个存储单元;写驱动器,其是向上述存储单元写入数据的写驱动器,按照与写入数据一起输入的写入掩码数据,执行该写入数据的写入,或者按照该写入掩码数据,不执行上述写入数据的写入;多路复用器,其选择性地输出上述写入掩码数据中固定为禁止上述写入数据的写入的命令的写入禁止信号和上述写入掩码数据中的任意之一;以及写保护控制器,其控制上述多路复用器,以使得当上述存储单元阵列中写入禁止区域的地址与上述写入数据的地址一致时,输出上述写入禁止信号,当上述写入禁止区域的地址与上述写入数据的地址不一致时,直接输出上述写入掩码数据。
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