[发明专利]半导体存储装置及其控制方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

存储单元阵列，其包括存储数据的多个存储单元；

写驱动器，其是向上述存储单元写入数据的写驱动器，按照与写入数据一起输入的写入掩码数据，执行该写入数据的写入，或者按照该写入掩码数据，不执行上述写入数据的写入；

多路复用器，其选择性地输出上述写入掩码数据中固定为禁止上述写入数据的写入的命令的写入禁止信号和上述写入掩码数据中的任意之一；以及

写保护控制器，其控制上述多路复用器，以使得当上述存储单元阵列中写入禁止区域的地址与上述写入数据的地址一致时，输出上述写入禁止信号，当上述写入禁止区域的地址与上述写入数据的地址不一致时，直接输出上述写入掩码数据。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括：写保护寄存器，其存储上述写入禁止区域的地址。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，上述写保护寄存器由能够改写上述写入禁止区域的地址的存储器构成。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括：写保护开关，其指定上述写入禁止区域的地址。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，上述写保护开关由能够改写上述写入禁止区域的地址的存储器构成。

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，上述写保护开关是物理开关。

7.根据权利要求1、2或4所述的半导体存储装置，其特征在于，上述半导体存储装置是具有DDR型接口的非易失性存储器。

8.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括：写入禁止区域指定管脚，其接收上述写入禁止区域的地址。

9.根据权利要求1、2或者4所述的半导体存储装置，其特征在于，上述写入禁止区域的地址对于作为写入数据单位或者读出数据单位的每个页、每个上述存储单元阵列或者每个存储芯片设定。

10.一种半导体存储装置的控制方法，其中上述半导体存储装置包括：存储单元阵列，其包括存储数据的多个存储单元；写驱动器，其按照与写入数据一起输入的写入掩码数据，向上述存储单元写入数据；以及多路复用器，其选择性地输出上述写入掩码数据中固定为禁止上述写入数据的写入的第1写入掩码数据的写入禁止信号和上述写入掩码数据中的任意之一，上述控制方法包括：

输入与写入数据一起输入的写入掩码数据；

当上述存储单元阵列中写入禁止区域的地址与上述写入数据的地址一致时，上述多路复用器向上述写驱动器输出上述写入禁止信号；以及

当上述写入禁止区域的地址与上述写入数据的地址不一致时，上述多路复用器直接输出上述写入掩码数据。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置的控制方法，其特征在于，该半导体存储装置是具有DDR型接口的非易失性存储器。

12.根据权利要求10或者11所述的半导体存储装置的控制方法，其特征在于，上述半导体存储装置还包括：存储上述写入禁止区域的地址的写保护寄存器，或者指定上述写入禁止区域的地址的写保护开关。