[发明专利]半导体发光二极管有效

专利信息
申请号: 201280010835.4 申请日: 2012-01-25
公开(公告)号: CN103403889A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 小岛章弘;下宿幸;杉崎吉昭;秋元阳介;藤井孝佳 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/62
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 韩宏;陈松涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据一个实施例,半导体发光器件包括半导体层(15)、p侧电极(16)、n侧电极(17)、无机绝缘膜(14)、p侧互连部分(21)、n侧互连部分(22)和有机绝缘膜(20)。有机绝缘膜设置在无机绝缘膜上,至少在p侧互连部分和n侧互连部分之间的部分上。p侧互连部分的在n侧互连部分一侧的端部(216)和n侧互连部分的在p侧互连部分一侧的端部(226)重叠在有机绝缘膜上。
搜索关键词: 半导体 发光二极管
【主权项】:
一种半导体发光器件,包括:半导体层,其包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、以及发光层;p侧电极,其设置在所述第二表面上的包括所述发光层的区域上;n侧电极,其设置在所述第二表面上的不包括所述发光层的区域上;无机绝缘膜,其设置在所述第二表面侧上,并包括穿透到所述p侧电极的第一通孔和穿透到所述n侧电极的第二通孔;p侧互连部分,其设置在所述无机绝缘膜上,并穿过所述第一通孔电连接到所述p侧电极;n侧互连部分,其设置在所述无机绝缘膜上,与所述p侧互连部分间隔开,并穿过所述第二通孔电连接到所述n侧电极;以及有机绝缘膜,其设置在所述无机绝缘膜上,至少在所述p侧互连部分和所述n侧互连部分之间的部分上,所述p侧互连部分的在所述n侧互连部分一侧的端部和所述n侧互连部分的在所述p侧互连部分一侧的端部重叠在所述有机绝缘膜上。
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