[发明专利]半导体发光二极管

说明书

技术领域

本文描述的实施例通常涉及半导体发光器件。

背景技术

通常，半导体发光器件可通过高电流的注入来提供高亮度。然而，由于诸如发光层和甚至发光器件自身的温度增加等原因，而导致高电流的注入产生高发射效率降低的问题。

引用列表

专利文献

PTL1：美国专利申请公布No.2010/0148198

附图说明

图1A和图1B是第一实施例的半导体发光器件的示意性截面图。

图2是示出安装在安装基板上的第一实施例的半导体发光器件的状态的示意性截面图。

图3A到5C是示出用于制造第一实施例的半导体发光器件的方法的示意性截面图。

图6是第二实施例的半导体发光器件的示意性截面图。

图7是第三实施例的半导体发光器件的示意性截面图。

图8是第四实施例的半导体发光器件的示意性截面图。

图9是比较示例的半导体发光器件的示意性截面图。

具体实施方式

根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、无机绝缘膜、p侧互连部分、n侧互连部分和有机绝缘膜。半导体层包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及发光层。p侧电极设置在第二表面上的包括发光层的区域上。n侧电极设置在第二表面上的不包括发光层的区域上。无机绝缘膜设置在第二表面侧上。无机绝缘膜包括穿透到p侧电极的第一通孔和穿透到n侧电极的第二通孔。p侧互连部分设置在无机绝缘膜上。p侧互连部分穿过第一通孔电连接到p侧电极。n侧互连部分设置在无机绝缘膜上。n侧互连部分与p侧互连部分间隔开。n侧互连部分穿过第二通孔电连接到n侧电极。有机绝缘膜设置在所述无机绝缘膜上，至少在所述p侧互连部分和所述n侧互连部分之间的部分上。p侧互连部分的在n侧互连部分一侧的端部和n侧互连部分的在p侧互连部分一侧的端部重叠在有机绝缘膜上。

现在将参考附图描述实施例。在附图中，采用相同的附图标记来标记相同的元件。

（第一实施例）

图1A是第一实施例的半导体发光器件10的示意性截面图。图1B是叠加在图1A的截面结构上的等效电路的示意图。

半导体发光器件10包括半导体层15。半导体层15包括第一表面15a和形成在与第一表面15a相对一侧（图1A中的上侧）的第二表面。以后描述的电极和互连层设置在第二表面侧上。光主要从与第二表面相对的第一表面15a发射到外部。

半导体层15包括第一半导体层11和第二半导体层12。第一半导体层11和第二半导体层12由包括例如氮化镓的材料制成。

第一半导体层11包括例如基础缓冲层和n型层。n型层起横向电流的路径的作用。第二半导体层12包括堆叠的结构，其中发光层（有源层）13夹在n型层和p型层之间。

如稍后描述的，半导体层15在基板5上形成。在本实施例中，基板5保持完好无缺。也就是说，基板5设置在第一表面15a上，其为半导体层15中的光的主提取表面。基板5比半导体层15厚，且向半导体发光器件10提供机械强度。

基板5是对于来自发光层13的发射光是透明的透明体。例如，基板5可以是蓝宝石基板。基板5具有在用于半导体层15的氮化镓和空气之间的折射率。这防止介质的折射率在穿过第一表面15a的光提取的方向上发生极大地改变。因此，可增加光提取效率。

以突起-凹陷构造来处理半导体层15的第二表面侧。在第二表面侧上形成的突起部包括发光层13。p侧电极16设置在构成突起部的表面的第二半导体层12的表面上。也就是说，p侧电极16设置在包括发光层13的区域中。

没有包括发光层13的第二半导体层12的区域设置在半导体层15的第二表面侧上的突起部旁边。n侧电极17设置在该区域中的第一半导体层11的表面上。也就是说，n侧电极17设置在不包括发光层13的区域上。

在半导体层15的第二表面侧上，包括发光层13的第二半导体层12的面积大于不包括发光层13的第一半导体层11的面积。此外，设置在包括发光层13的区域上的p侧电极16具有比设置在不包括发光层13的区域上的n侧电极17大的面积。因此，实现了大发光区。

绝缘膜14设置在包括发光层13的第二半导体层12的侧表面、p侧电极16的侧表面和n侧电极17的侧表面上。绝缘膜14覆盖第二半导体层12的侧表面、p侧电极16的侧表面和n侧电极17的侧表面。绝缘膜14是无机绝缘膜，例如氧化硅膜和氮化硅膜。p侧电极16的表面和n侧电极17的表面从绝缘膜14暴露出。