[发明专利]半导体发光二极管

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

半导体层，其包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、以及发光层；

p侧电极，其设置在所述第二表面上的包括所述发光层的区域上；

n侧电极，其设置在所述第二表面上的不包括所述发光层的区域上；

无机绝缘膜，其设置在所述第二表面侧上，并包括穿透到所述p侧电极的第一通孔和穿透到所述n侧电极的第二通孔；

p侧互连部分，其设置在所述无机绝缘膜上，并穿过所述第一通孔电连接到所述p侧电极；

n侧互连部分，其设置在所述无机绝缘膜上，与所述p侧互连部分间隔开，并穿过所述第二通孔电连接到所述n侧电极；以及

有机绝缘膜，其设置在所述无机绝缘膜上，至少在所述p侧互连部分和所述n侧互连部分之间的部分上，

所述p侧互连部分的在所述n侧互连部分一侧的端部和所述n侧互连部分的在所述p侧互连部分一侧的端部重叠在所述有机绝缘膜上。

2.如权利要求1所述的器件，其中

在所述无机绝缘膜和所述有机绝缘膜之间形成有阶梯，以及

所述p侧互连部分和所述n侧互连部分覆盖所述阶梯。

3.如权利要求1所述的器件，其中，所述有机绝缘膜还设置在所述p侧互连部分的与所述n侧互连部分一侧的端部不同的另一端部和所述无机绝缘膜之间以及在所述n侧互连部分的与所述p侧互连部分一侧的所述端部不同的另一端部和所述无机绝缘膜之间。

4.如权利要求1所述的器件，其中，所述n侧互连部分的部分叠盖包括所述发光层的所述区域上的所述无机绝缘膜。

5.如权利要求1所述的器件，其中，所述n侧互连部分的在所述无机绝缘膜上展开的面积大于所述n侧互连部分的穿过所述第二通孔连接到所述n侧电极的面积。

6.如权利要求1所述的器件，其中

所述p侧互连部分包括从所述无机绝缘膜和所述有机绝缘膜暴露出的p侧外部端子，并且

所述n侧互连部分包括在与所述p侧外部端子相同的表面处从所述无机绝缘膜和所述有机绝缘膜暴露出的n侧外部端子。

7.如权利要求1所述的器件，其中

所述p侧互连部分包括设置在所述无机绝缘膜和所述有机绝缘膜上的第一p侧互连层和设置在所述第一p侧互连层上的第二p侧互连层，并且

所述n侧互连部分包括设置在所述无机绝缘膜和所述有机绝缘膜上的第一n侧互连层和设置在所述第一n侧互连层上的第二n侧互连层。

8.如权利要求7所述的器件，其中，所述第二p侧互连层比所述第一p侧互连层厚，且所述第二n侧互连层比所述第一n侧互连层厚。

9.如权利要求7所述的器件，还包括：

绝缘材料，其填充在所述第一p侧互连层和所述第一n侧互连层之间以及在所述第二p侧互连层和所述第二n侧互连层之间。

10.如权利要求7所述的器件，其中

所述第二p侧互连层包括从所述无机绝缘膜、所述有机绝缘膜和所述绝缘材料暴露出的p侧外部端子，以及

所述第二n侧互连层包括在与所述p侧外部端子相同的表面处从所述无机绝缘膜、所述有机绝缘膜和所述绝缘材料暴露出的n侧外部端子。