[发明专利]可配置存储器阵列无效
| 申请号： | 201280010159.0 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103403806A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 金正丕;哈里·M·拉奥;朱晓春;李霞;升·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 所揭示的实施例包含具有安置成列的多个位线(BL0、BL1、BL2、BL3)和多个源极线(1)的存储器阵列。多个字线(2)安置成行。多个存储元件(3)具有从所述存储器阵列电解耦的存储元件的第一子集(4)，和耦合到所述存储器阵列的存储元件的第二子集(5)。所述存储器阵列包含多个位单元，每一位单元包含耦合到至少两个晶体管(6)的来自存储元件的所述第二子集的一个存储元件。所述位单元耦合到所述多个位线和所述多个源极线。每一晶体管耦合到一个字线。所述存储器阵列可进一步包含用以选择高性能模式和高密度模式的逻辑(310、312)。 | ||
| 搜索关键词： | 配置 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
一种存储器阵列，其包括：安置成列的多个位线和多个源极线；安置成行的多个字线；多个存储元件，所述多个存储元件具有从所述存储器阵列电解耦的存储元件的第一子集和耦合到所述存储器阵列的存储元件的第二子集；以及多个位单元，每一位单元包含耦合到至少两个晶体管的来自存储元件的所述第二子集的一个存储元件，其中所述多个位单元耦合到所述多个位线和所述多个源极线，且其中每一晶体管耦合到一个字线。
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